通过查看 DS 中的图7、您可以看到内部 MOSFET 显示为使寄生二极管从 OUT 至 IN。
因此、如果 VOUT 比 VIN 高0.3V、流经 MOSFET 过程内部的寄生二极管的电流可能会损坏 MOSFET 并损坏器件。
这种理解是否正确?
Darren
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通过查看 DS 中的图7、您可以看到内部 MOSFET 显示为使寄生二极管从 OUT 至 IN。
因此、如果 VOUT 比 VIN 高0.3V、流经 MOSFET 过程内部的寄生二极管的电流可能会损坏 MOSFET 并损坏器件。
这种理解是否正确?
Darren
尊敬的 Stephen:
让我确认...
[1]
这是线性稳压器常用经验法则的原因是:
LDO 内部 MOSFET 设计和制造过程会生成寄生"体"二极管。
对于具有较高电流容量的 LDO、MOSFET 通常往往大于具有较小电流容量的 LDO。
这种"较大"或"较小"的内部 MOSFET 意味着寄生二极管也"较大"或"较小"
因此、使用电流较高的"较大" MOSFET LDO 时、寄生二极管更大、可以传递更多电流。
使用电流较低的"较小" MOSFET 时、寄生二极管更小、在发热前无法传递太多电流。
从上面可以看出5%规则是如何应用的。
制造过程中存在的寄生二极管与 MOSFET 一起大小、因此可以"根据经验法则"支持最大稳态器件电流的5%。
这是一个准确的理解吗?
[2]
如果出现更多的反向电流流动、会发生什么情况? 温度升高是否是问题所在? 或者是否还有其他问题...?
您好 Darren、
您的问题。
一般而言,这是一个思考这个问题的好方法。 请记住、某些 LDO 可能不会提供很高的电流、但可能仍具有一个大通 FET、有助于降低 RDS_ON 并保持低压降要求。
2.在反向电流操作期间,您的所有保护电路都无法保护 LDO。 热耗散是一个大问题、因为二极管压降本身比内部导通 FET 的 RDS_ON * Iout 大得多。 因此、该器件将消耗更多功率并更快地产生热量、并且在该工作模式下不提供热保护。
体二极管是一种寄生器件、因此它不像 MOSFET 的 RDS_ON 那样受到良好的控制。 因此、该压降的容差可能会变化。
在可能产生大量反向电流的情况下、我们会担心键合线的额定电流。 如果峰值电流很大、例如 Vin 接地短路、Vout 通过体二极管提供电流、我们会担心键合线会熔断。 在必须评估高峰值电流的情况下、我们使用了雷神熔融计算器、尽管这个问题每年只出现一次或两次。 我不记得是否讨论过反向电流、但键合线熔断问题仍然存在。
谢谢、
斯蒂芬