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[参考译文] LP5907:内部 MOSFET 二极管问题

Guru**** 2387060 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1028154/lp5907-internal-mosfet-diode-question

器件型号:LP5907

通过查看 DS 中的图7、您可以看到内部 MOSFET 显示为使寄生二极管从 OUT 至 IN。

因此、如果 VOUT 比 VIN 高0.3V、流经 MOSFET 过程内部的寄生二极管的电流可能会损坏 MOSFET 并损坏器件。

这种理解是否正确?

Darren

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    您好 Darren、

    是的、没错。  为了保护二极管和内部 MOSFET、我们建议在这种情况下将反向电流限制为不超过最大稳态电流的5%。  在本例中、该值为250mA * 5%= 12.5mA。

    谢谢、

    斯蒂芬

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    尊敬的 Stephen:

    1) 1)您在哪里得到5%的数字?

    2) 2)我假设12.5mA 的稳态限制是为了防止二极管发热/热失控/损坏。 但是、如果反向电流不超过1ms、  对于二极管可以处理的电压、您是否可以给出任何可能的数字? 例如125mA 持续1ms 不应损坏它...?

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    您好 Darren、

    5%是我们用于线性稳压器中最大反向电流的常用经验法则。  我们对所有反向电流请求和问题都提供相同的答案、除非数据表中有关于反向电流的特定内容(例如线性稳压器可防止反向电流)。

    我们没有适用于体二极管的能量分布、因此无法提供要维持的特定能量要求。

    谢谢、

    斯蒂芬

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    尊敬的 Stephen:

    让我确认...

    [1]

    这是线性稳压器常用经验法则的原因是:

    LDO 内部 MOSFET 设计和制造过程会生成寄生"体"二极管。
    对于具有较高电流容量的 LDO、MOSFET 通常往往大于具有较小电流容量的 LDO。
    这种"较大"或"较小"的内部 MOSFET 意味着寄生二极管也"较大"或"较小"

    因此、使用电流较高的"较大" MOSFET LDO 时、寄生二极管更大、可以传递更多电流。
    使用电流较低的"较小" MOSFET 时、寄生二极管更小、在发热前无法传递太多电流。

    从上面可以看出5%规则是如何应用的。
    制造过程中存在的寄生二极管与 MOSFET 一起大小、因此可以"根据经验法则"支持最大稳态器件电流的5%。

    这是一个准确的理解吗?

    [2]

    如果出现更多的反向电流流动、会发生什么情况? 温度升高是否是问题所在? 或者是否还有其他问题...?

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    您好 Darren、

    您的问题。

    一般而言,这是一个思考这个问题的好方法。  请记住、某些 LDO 可能不会提供很高的电流、但可能仍具有一个大通 FET、有助于降低 RDS_ON 并保持低压降要求。  

    2.在反向电流操作期间,您的所有保护电路都无法保护 LDO。  热耗散是一个大问题、因为二极管压降本身比内部导通 FET 的 RDS_ON * Iout 大得多。  因此、该器件将消耗更多功率并更快地产生热量、并且在该工作模式下不提供热保护。  

    体二极管是一种寄生器件、因此它不像 MOSFET 的 RDS_ON 那样受到良好的控制。  因此、该压降的容差可能会变化。

    在可能产生大量反向电流的情况下、我们会担心键合线的额定电流。  如果峰值电流很大、例如 Vin 接地短路、Vout 通过体二极管提供电流、我们会担心键合线会熔断。  在必须评估高峰值电流的情况下、我们使用了雷神熔融计算器、尽管这个问题每年只出现一次或两次。  我不记得是否讨论过反向电流、但键合线熔断问题仍然存在。

    谢谢、

    斯蒂芬