在使用该组件进行多个原型设计和较低产量的生产之后、我们最近升级到了3kpc 卷带和更大的生产运行。
当我们这样做时、质量控制检查开始失败。
在详细研究此问题后、我们发现我们刚刚用于填充较大照射行程的器件的行为与之前的版本有一些根本不同。 我们始终直接从 TI 或信誉良好的供应商处采购、并且基本器件型号始终相同。 观察到的差异为:
- 在低负载和低占空比工作点的调节性能较差
- 启动时的浪涌电流要高得多
- 总体效率和 /或基准电压 精度略差
- 大幅不同的激光打标美观度(无方位点、不同字体)
在我看来、TI 可能会在这个器件型号下生成两个非常稍微不同的芯片设计。 不清楚这种变化是我们的设计可以接受的、还是它的来源。 我认为这些器件不一定有缺陷;它们可能仍然符合数据表。 但它们之间的*差异*,我们想确保我们理解原因。
随附了我们最近构建的示例组件顶部和底部的图片、其中展示了这些新差异。
这是一种已知效应吗? TI 的任何人都能解释一下吗?









