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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1023650/tps40055-question-about-abnormal-waveform
你(们)好
下面是开始处的波形 、下一个波形是中间放大率。
为什么 VDS 超过？
请告诉我是否有改进的方法。
条件-
输入：15~20V
输出：5V
-sch-
谢谢
尊敬的 David：
占空比与15-20V 输入和5V 输出不一致(其中 D =降压稳压器的 Vout/Vin)。 请检查您的设计- https://www.ti.com/product/TPS40055#design-development##design-tools-simulation 上提供了计算器工具
此致、
Tim
你(们)好 我还有一个问题。 1.如果是工作问题，我应该在哪里解决？ 例如、修改零件值或更改 L 值。 2.根据附件，异常波形的最大电压为 Vgs 的2V。 出什么问题了？ 3.如果您查看附加文件中的波形、则正常和异常之间存在差异。 您为什么这么做？e2e.ti.com/.../6354.waveform.pdf
看起来高侧栅极驱动没有达到预期的高电平。 请发送功率级原理图、包括 FET 器件型号。 检查引导电容器值以及 BP10是否稳定在其标称值9.6V。
你(们)好 我回答如下。
车尾箱盖：100nF FET：FDMS8333L L201：3.3 μ H BP10=>9.4V
e2e.ti.com/.../3187.mosfet-sch.pdf
这是-5V 输出、因此它配置为反相降压/升压(IBB)。 请通过仿真或计算检查稳定性。 使用电压模式控制时、Ibb 补偿较为困难、而具有 ESR 的高 Cout 有助于实现补偿。
以下是 IBB 的应用手册 ：https://www.ti.com/lit/an/snva856a/snva856a.pdf
此外、对于3A 输出、MOSFET 具有很低的 Rdson 和高 Qg (2、4m Ω 和46nC)。 考虑使用更高的 Rdson 以获得更高的效率、尤其是当 Fsw 较高时(上图中显示为500kHz)
