[参考译文] LM5176：LM5176：针对 lm5176空载时的大待机电流问题

您好、Sheng、

感谢您使用 LM5176进行设计。  空载功耗主要用于(1) MOSFET 驱动器、因为它会继续开关、以及(2)功率电路中因循环能量而产生的损耗： 您的电感器电流在负峰值和正峰值之间斜升、平均电流为零、但有电流流经 MOSFET 和电感器、导致传导损耗。  如果您使用相同的组件、但布局非常不同、则功率耗散可能会有所不同。  通常、由于 MOSFET 和电感器中的传导损耗增加、具有较差热管理的较小电路板会消耗更多的电能。   但是、在我们审查您的电路之前、我们无法得出结论。

您能否共享原理图并显示上述工作条件下的一些关键波形、如 SW1和 SW2？

谢谢、

应用工程学 Yohao Xi

谢谢！Youhao Xi！

我使用不同制造商的电感器(具有相同的电感)进行测试、其效果会有所不同。 良好的电感器将具有40mA 的输入电流损耗、而不良的电感器将具有60mA 的输入电流损耗。 稍后将提供所需的波形图。 目前，不能解决这个问题。 您能否提供思维方向？

你好、Sheng、

由于该器件持续运行、因此预计输入电流为40mA。 您可以通过在输出端没有负载时关闭器件来优化空载电流。

此致、
Brigitte

你好、Sheng、

尖峰是由开关打开和关闭时的寄生效应引起的。

如果两个电路板具有完全相同的外部组件、则布局差异会导致这些尖峰。

我感到困惑、因为您在上面提到电感不同。 您能否澄清两个电路板之间的区别到底是什么？

请分享两个电路板的完整原理图。

此致、
Brigitte

你好 Brigitte！

目前、最新的电路板和模板使用的元件与 PCB 完全相同。

我今天进行了测试。 新电路板降压电路的开关管和同步管已替换为模板中使用的场效应管、消除了电路故障。 我很困惑、因为两个场管的名称和规格是相同的。 只是购买时间不同。

下面的图1显示了问题芯片的驱动波形、黄色表示开关管驱动、蓝色表示同步管驱动。 图 2是正常的芯片驱动波形。 当开关管关闭且同步管打开时、差异显而易见。 两个示波器的参数是一致的。

图 3是问题芯片的屏幕打印、图 4是正常芯片的屏幕打印。

图 5是问题电路的电感输出端子的波形、图 6是正常电路电感输出端子的波形。 故障电路将具有较大的开关尖峰。 轻负载或重负载具有较大的开关尖峰。 这将增加电感器的功耗。

我修改了四个电路板的场管。 修改后、可以消除所有故障。是什么导致了场管的差异。 您能为我分析一下吗？ 谢谢！

                      图1.

                     图2.  

              图3.  

    图4.  

                     图5.  

                   图6.  

你好、Sheng、

在对组件进行详细分析之前、您能否检查问题是否一致、并获取一个现在正常工作的电路板、然后将您怀疑导致问题的晶体管焊接回来？ 问题是否会再次出现？

此致、
Brigitte

你好 Brigitte！

是的。 我开始怀疑 SMT 问题导致了异常。 我再次对故障的现场管进行了修补焊接、但故障仍然存在。

如下图所示、左侧的射野管道正常、原点是菲律宾。 右侧的田间管道异常、其来源为马来西亚。 这是由工厂生产流程的差异引起的问题吗？ 谢谢！

您好、Sheng、

感谢您的查询。 异常器件上的开关尖峰较高、会导致更高的损耗。 我正在检查器件标识、一旦我有更多信息、就会立即返回给您。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

您好 John Wallace！

是上图右侧的芯片、是一个非常旧的版本、左侧是最新的版本。 芯片是否已升级？ 我不会买假货。