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[参考译文] DRV103：DRV103

admin
Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: DRV103

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1032823/drv103-drv103

器件型号：DRV103

你好。

 我将 DRV103用于我的应用之一、用于启用和禁用中断。

在 DRV103中、引脚1连接到91K 欧姆电阻器、占空比为30%。

          引脚2连接到100nF/25V 陶瓷电容器 、持续时间为100ms Dealy。

          引脚3连接到205K 电阻器以进行频率设置。

         P 沟道 MOSFET 器件型号为 IRF9Z24N

我将 正确获得100ns 的延迟、但在延迟之后、PWM 电压将变为+15V 至-16V。

有人能 不能建议为什么会发生这些情况。

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Uday、

    70A 是非常高的电流、因此您需要一个独立的高侧或低侧驱动器、该驱动器允许您连接到外部时基故障。 DRV103器件具有一个内部 FET、用于将负载接地(因为它是一个低侧驱动器)、而不是接地开关、如下所示：  

    但是、70A 负载所需的是此产品文件夹中的以下内容：  

    https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/low-side-drivers/products.html

    此致、  

    Elizabeth

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好、Elizabeth、

    感谢 您的评论。

     基本要求如下所示

    过激励电压= 24VDC

    激励功率 = 96W

    保持电压 = 4VDC

    保持功率= 2.7W

    激励时间= 150ms。

    因此 、DRV103内部的 MOSFET 可以满足上述要求、或者我们必须使用外部 P 沟道 MOSFET。

    此致、

    Uday

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好、Elizabeth、

    感谢 您的评论。

     基本要求如下所示

    过激励电压= 24VDC

    激励功率 = 96W

    保持电压 = 4VDC

    保持功率= 2.7W

    激励时间= 150ms。

    因此 、DRV103内部的 MOSFET 可以满足上述要求、或者我们必须使用外部 P 沟道 MOSFET。

    此致、

    Uday

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好、Uday、  

    很抱歉耽误你的时间。

    您能否确认您的负载是否需要70A？  

    DRV103只能支持3A 电流、并通过其当前的限制功能将电流限制在典型值3.5A。  

    因此、如果需要70A 电流、DRV103将不适合您的系统。  

    此致、  

    Elizabeth  

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好、Elizabeth、

    感谢您的回复。

    我的负载需要最大4A。

    那么、我应该使用外部 P 沟道 MOSFET 吗？

    此致、

    Uday

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
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    您好、Uday、  

    我们具有内部 FET 的低侧开关仅支持高达3A 的电流。  

    您将需要使用 具有外部 FET 的低侧或高侧驱动器。  

    我们的低侧驱动器产品系列可在以下位置找到： https://www.ti.com/power-management/gate-drivers/low-side-drivers/products.html

    此致、  

    Elizabeth