您好!
我阅读了有关 LMG1210 GaN 电源的 TI 论坛。 我想确认我可以为 GaN 电源使用正负(+/-45V)电源。 请参阅附件。
我计划移除 BST 二极管并使该引脚悬空。
电路设计为使用 PWM 输入运行、因此我计划将 EN 连接到高电平
我的问题与其他电源有关、并在所附图(HB、VDD、VIN、PWM 输入基准以及 DHL 和 DLH 基准)中添加了问号。
我是否应该更改任何其他参数以运行+/-45V 中的 LMG1210
此致、
穆斯塔法

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您好!
我阅读了有关 LMG1210 GaN 电源的 TI 论坛。 我想确认我可以为 GaN 电源使用正负(+/-45V)电源。 请参阅附件。
我计划移除 BST 二极管并使该引脚悬空。
电路设计为使用 PWM 输入运行、因此我计划将 EN 连接到高电平
我的问题与其他电源有关、并在所附图(HB、VDD、VIN、PWM 输入基准以及 DHL 和 DLH 基准)中添加了问号。
我是否应该更改任何其他参数以运行+/-45V 中的 LMG1210
此致、
穆斯塔法

您好 Mustafa、
感谢您的提问。
VDD、VIN、PWM、EN、DHL 和 DLH 都必须以 VSS 为基准。 如果您将-45V 视为 GND (VSS)、并根据该值进行所有数学运算、您应该会觉得很好。
您可以直接在 VDD 上提供以 VSS 为基准的5V 电压、只需将 VIN 连接到 VDD 即可。 这意味着 VSS 将处于-45V、VDD 将处于-40V。 您需要使用浮动电源来确保 VDD 真正以-45V 为基准。 其他输入也是如此。
在 HB-HS 方面、您将需要从 HB-HS 到 HB 基准 HS 的另一个浮动电源(隔离式电源)来为 HB HS 供电。
此致、
Leslie
您好 Mustafa、
当不使用 LDO (当 VDD 直接由5V 供电时)、我们建议将 VIN 短接至 VDD。
此外、HB 浮动电源应以 HS 为基准、而不是以 Vbus 为基准。 当低侧 FET 闭合时、开关节点(HS)可变为-45V、而当高侧 FET 闭合时、开关节点(HS)可变为高达45V、因此 HB-HS 上的电源应能够处理此问题、这就是您需要隔离式/浮动电源的原因。
对于输入、您可能需要一个隔离器: https://www.ti.com/isolation/overview.html
此致、
Leslie