[参考译文] CSD16570Q5B：泄漏电流

大家好、

由于导通阻抗较低、我想使用 TI 的 MOSFET、但 TI 非常清楚 VGS = 0时反向泄漏电流 IDS 是什么？
其他供应商确实拥有此数据、并乐意根据请求共享、如附加的图像中所示。

遗憾的是、TI 的工程师似乎没有反应。 我有这个问题等待数周的时间、  当 CSD16570Q5B 的 VGS = 0且温度为25°C 时、似乎没有人需要创建 VDS 与 IDS 的关系图。

请提供所需的图表 、否则请告知我。

如果您在 TI 对销售该产品不感兴趣、我有其他选择、但请停止浪费时间。

此致、

B. Mistry

PMCM4401VNE 的漏源泄漏电流 

尊敬的 Bhargav：

TI 在各种封装中都有许多较低泄漏的器件。 我们的泄漏电流最低的 FET 为：CSD15380F3 (20V)、CSD13380F3 (12V)和 CSD13385F5 (12V)。 这些器件很小、最大电流可在0.5A 和3A 之间传导。 CSD16570Q5B 是我们采用5x6mm SON 封装的超低导通电阻、低电压(<30V) FET。 根据您的最大电流、我们还提供了 WLP 和 LGA ((微型)、2x2mm 和3x3mm SON、D2PAK 和 TO220的其他选项。 您的要求是什么：电压范围、电流范围、栅极驱动电压等？ 使用20V FET 时、电压为5V 时的泄漏电流可能会略低。 但是、我没有任何支持数据。

请访问我签名中的链接、访问我们的 MOSFET 支持和培训页面。 在这里、您可以找到我们的所有 MOSFET 技术信息和工具。 您可能对以下链接中的负载开关工具感兴趣、以帮助您进行 FET 选择。 您可以使用数据表链接查看特定器件的 IDSS 最大规格。还有一篇关于影响泄漏的 MOSFET 栅极 ESD 保护的技术文章。

如果我们的其中一个 FET 不合适、TI 还提供电流感应放大器和电流感应 IC。 只需在 TI.com 上搜索电流感应或电流传感器的关键字

尊敬的 John：

感谢你的答复。

用例为：使用 MOSFET 自动切换感应电阻器。 所需电流为2A 且 Vds = 5V、Vgs 可提供高达12V 的电压。

• 对于该 MOSFET、导通电阻必须尽可能低、因为感测电阻在10米欧姆范围内。
• 对于较低的电流测量、感应电阻器切换为较高的值、例如1K 欧姆。 在这种情况下、MOSFET 的泄漏电流必须小于100nA、以获得1uA 测量的适当精度。
• 开关速度必须非常快< 1U 秒、因此 MOSFET 必须具有较低的 Qg (大约30nC)。

为此原因；

• 由于 RDS on 大于5m Ω、因此无法使用负载开关、响应时间也大于2uSec。
• 由于 Rdson 较高、因此无法使用 FemtoFET

我将获取 NMOS 样本并自行执行 IDS 测试。

TI 工程师无法在室温下准备 VDS 与 IDSS 图、这让人感到非常惊讶和失望！ 不确定是缺乏动力(薪酬)还是缺乏热情？

此致、

Bhargav