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[参考译文] CSD16570Q5B：泄漏电流

admin
Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B, CSD15380F3, CSD13385F5, CSD13380F3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980465/csd16570q5b-leakage-current

器件型号：CSD16570Q5B
主题中讨论的其他器件： CSD15380F3、 CSD13385F5、 CSD13380F3

大家好、

我们的客户想知道 、在 CSD16570Q5B 的 VGS = 0时、是否可以提供 IDS 与温度间的关系图或 IDS 与 VDS 间的关系图。 泄漏电流在整个工作 温度 范围内是否相同？

此致、

Danilo

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    您好 Danilo、

    感谢您向客户推广 TI FET。 IDS 对温度的依赖性非常强。 目前、我没有显示此器件的 IDS 与温度间关系的图表。 但是、它应该具有如下技术文章所示的类似特性。 我没有关于 IDS 与 VDS 的任何数据、但总的来说、IDS 相对平坦、直到低于 FET 的漏源极电压、开始快速增加。

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    大家好、

    由于导通阻抗较低、我想使用 TI 的 MOSFET、但 TI 非常清楚 VGS = 0时反向泄漏电流 IDS 是什么？
    其他供应商确实拥有此数据、并乐意根据请求共享、如附加的图像中所示。


    遗憾的是、TI 的工程师似乎没有反应。 我有这个问题等待数周的时间、  当 CSD16570Q5B 的 VGS = 0且温度为25°C 时、似乎没有人需要创建 VDS 与 IDS 的关系图。

    请提供所需的图表 、否则请告知我。

    如果您在 TI 对销售该产品不感兴趣、我有其他选择、但请停止浪费时间。

    此致、

    B. Mistry

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    PMCM4401VNE 的漏源泄漏电流 

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    Bhargav、您好！

    感谢您的跟进。 很抱歉、我之前的回答不满意。 我从产品开发期间收集的特性数据中生成了 CSD16570Q5B 随附的 IDSS 与温度间的关系图。 这仅供参考、不能保证性能。 TI 只能在数据表中指定的 VGS = 0V、VDS = 20V 和 TA = 25C 时保证 IDSS < 1uA。 此外、请记住、该 FET 针对静态开关应用进行了优化、例如热插拔、OR'ing 和负载开关。 不建议用于开关模式电源应用、例如同步降压转换器、并且可能无法根据需要执行。 TI 在同一封装中确实有其他更适合开关模式应用的 FET。 遗憾的是、我没有任何 IDSS 与 VDS 数据。 正如我之前的响应中所述、并且如您提供的图所示、IDSS 通常是平坦的、直到 VDS 接近 BVDSS、此时它呈指数级增长。

    e2e.ti.com/.../CSD16570Q5B-Leakage.pdf

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    尊敬的 John：

    感谢你的答复。

    这很有帮助。

    我计划将 NMOS 用于电流感应应用、由于感应范围是微安级、因此需要超低泄漏。

    您是否有任何减少 MOSFET 泄漏的建议？

    运行它的 VDS 可能低于 额定电压？

    即，如果额定 VDS 为20V，则以5V 电压运行？

    此致、

    Bhargav

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    尊敬的 Bhargav：

    TI 在各种封装中都有许多较低泄漏的器件。 我们的泄漏电流最低的 FET 为：CSD15380F3 (20V)、CSD13380F3 (12V)和 CSD13385F5 (12V)。 这些器件很小、最大电流可在0.5A 和3A 之间传导。 CSD16570Q5B 是我们采用5x6mm SON 封装的超低导通电阻、低电压(<30V) FET。 根据您的最大电流、我们还提供了 WLP 和 LGA ((微型)、2x2mm 和3x3mm SON、D2PAK 和 TO220的其他选项。 您的要求是什么：电压范围、电流范围、栅极驱动电压等？ 使用20V FET 时、电压为5V 时的泄漏电流可能会略低。 但是、我没有任何支持数据。

    请访问我签名中的链接、访问我们的 MOSFET 支持和培训页面。 在这里、您可以找到我们的所有 MOSFET 技术信息和工具。 您可能对以下链接中的负载开关工具感兴趣、以帮助您进行 FET 选择。 您可以使用数据表链接查看特定器件的 IDSS 最大规格。还有一篇关于影响泄漏的 MOSFET 栅极 ESD 保护的技术文章。

    如果我们的其中一个 FET 不合适、TI 还提供电流感应放大器和电流感应 IC。 只需在 TI.com 上搜索电流感应或电流传感器的关键字

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    尊敬的 John：

    感谢你的答复。

    用例为：使用 MOSFET 自动切换感应电阻器。 所需电流为2A 且 Vds = 5V、Vgs 可提供高达12V 的电压。

    • 对于该 MOSFET、导通电阻必须尽可能低、因为感测电阻在10米欧姆范围内。
    • 对于较低的电流测量、感应电阻器切换为较高的值、例如1K 欧姆。 在这种情况下、MOSFET 的泄漏电流必须小于100nA、以获得1uA 测量的适当精度。
    • 开关速度必须非常快< 1U 秒、因此 MOSFET 必须具有较低的 Qg (大约30nC)。

    为此原因；

    • 由于 RDS on 大于5m Ω、因此无法使用负载开关、响应时间也大于2uSec。
    • 由于 Rdson 较高、因此无法使用 FemtoFET

    我将获取 NMOS 样本并自行执行 IDS 测试。

    TI 工程师无法在室温下准备 VDS 与 IDSS 图、这让人感到非常惊讶和失望！ 不确定是缺乏动力(薪酬)还是缺乏热情？

    此致、

    Bhargav

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    TI__Guru**** 1821780 points
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    尊敬的 Bhargav：

    再次感谢您关注 TI MOSFET。 我根据您对导通电阻< 5m Ω 的 FET 的要求进行了搜索。 在 VGS = 0V、VDS = BVDSS 的80%且 TA = 25C 时、此类别中的所有 TI FET 的最大 IDSS < 1uA。 TI 只能保证 MOSFET 数据表中指定的值。 此时、我已向您提供了我们拥有的所有数据、我将关闭此主题。