[参考译文] UCC27712EVM-287：降低通过输出的功率的工作条件

尊敬的 Derek：

我同意、如果输出电阻为10K 欧姆、则输入电流看起来很高。 您能否确认运行的占空比和死区时间与用户指南中所示相同？ 确保 HI 和 LI 输入之间有死区时间、以避免某些交叉传导、尽管驱动器将强制实现150ns 的最小死区时间。

确认您使用的电感器用于开关应用、而不是直流滤波。 最适合工作台实验的电感器类型是铁粉、它可以承受高通量并在施加电流时具有软饱和。

此外、我假设高侧的28V 是额定电压高达400V 的直流高电压输入、请确认。

如果您在较低电压输入下运行、建议使用额定电压较低的 MOSFET、因为开关损耗会低得多。 与 EVM 上的650V 额定 MOSFET 相比、额定电压为100V 的 MOSFET 可能足够高、并且可以降低开关损耗。  

当然可以降低工作频率、但您需要确保选择能够在较低频率下处理伏秒的电感器。 如果28V 是您的最大输入电压、则在10kHz 时28V 的电压秒小于400V (100kHz 时)。

要设置输入信号、您可以在10-20kHz 频率下运行。 确保设置高侧占空比以实现所需的输出。 例如、在0.2 D 时、EVM 设置为400V、输出为~80V。 设置 LI 输入以实现从 HI 下降沿和 LI 上升沿的死区时间、并设置 LI 脉冲宽度以实现 LI 下降沿到 HI 上升沿的死区时间。

确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。

对此，

Richard、您好、感谢您的快速回答。 顺序：

我使用相同的占空比(20%通道 A、70%通道 B)。 我通过相移通道 B 相对于通道 A 的270度来设置死区时间 我的示波器在通道 A 的任一侧显示了500ns 的死区时间

我正在使用的电感器实际上是3.6uH (www.mouser.com/ProductDetail/Wurth-Elektronik/744031003/?qs=PGXP4M47uW7MyfGgqqxifw%3D%3D)、但未调用内核类型。 应用程序也未指定、我只是发现我们在图纸中使用了错误的 PN。 这可能是我的问题、但无论如何我会继续。 假设电感器工作：

是的、高侧28V 是额定电压为400V 的直流电压。 我将通过 PSU 供电。  

我将研究替代 MOSFET 以替换提供的电路板 IPB65R190CFD。  

与上述类似、我不确定我的电感器的 V-sec 规格是否为400V @100kHz。  

我将尝试在28V 高侧和高侧占空比0.25下工作、在10kR 负载下实现~7V 的目标。 您能帮我理解为此设置的合理死区时间吗？ 我知道设计需要150ns、但对于我所需的输出、65%的低侧占空比和250ns 的死区时间是否足够？  

您好 Richard、  

我用~140uH 替换了电感器、上周我的测量结果很好。 在周末之后、我再次测量、它会返回到高侧的高电流。 我已经订购了~300uH 铁粉磁感应器、并将在安装后报告。 我想一直保持开放状态、直到那时、才能确保解决我的问题。  

谢谢。  

尊敬的 Derek：

感谢您的更新。 在  您更新了数据或状态时发布任何问题。

此致、