[参考译文] BQ25570：问题设计

您好、Thierry、

如果在通电时 VSTOR < 2.0V、充电器会在冷启动时运行、这是一个效率极低的电荷泵。  它仅用于为 VSTOR 电容器充电至2.0V。  然后主升压转换器打开。  如果 VSTOR 上有负载(除禁用的降压转换器之外)、请将其移除、直到充电器启动并运行。

如果 VIN 上的电压>= VBAT_OV、则充电器会在 VIN 上打开下拉电阻、因为它不想对存储元件进行过压(有一条从 VIN 到 VSTOR=VBAT 的通过二极管的路径)。  这可能是导致发热的原因。

请附上原理图、我将进行回顾。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

再次感谢您的帮助。

我移除了 VBAT_OK 上的 μ 4,7µF、但引脚保持在0V。 VOUT 为0V。

我 理解对5个 USB 来说是好的。 我只允许它由于冷启动而启动、但如果我可以解决冷启动问题、我将移除5V USB。

如果我使用电压超过5V 的面板、齐纳二极管仅用于保护充电器的输入。

您可以在 VRDIV 的示波图上看到所有脉冲都是正确的。 在第三个脉冲开始时出现的尖峰是什么？

因此、您需要在 VIN_DC 和 VSTOR 之间添加一个 PFET、并在 VOUT_EN 上添加一个 NFET。  可以给我发送原理图吗？

我不知道必须将 PFET 的栅极置于何处以及如何将 NFET 置于 VOUT_EN 上。 我认为我必须监控 VSTORE？？？

此致

Thierry

您好、Thierry、

根据您的图、VSTOR 上升至4.7V、但设置为5.1V [3.4V/(2/3)]、但您的 VBAT_OK_HYST 电压为4.8V、对吧？  如果是、则 VBAT_OK 不会变为高电平。

需要说明的是、即使在 VIN_DC 使用工作台电源而不是太阳能电池板、VSTOR 也不会上升到您所需的输出电压？    

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

否在我的第一篇帖子中、我为您提供了参数。

VBAT_OK_HYST 等于2、8V。

明天我将尝试使用台式电源、但现在 VSTOR 在4、7V 和 VBAT 条件下也可以。

问题只是在开始时、但当我首次放置一个5V 充电器时、这是可以的。 我将使用 FET 设计用于冷启动的新原理图、并将向您发送。

第二个重要问题是 VBAT_OK 引脚永远不会变为高电平、因此 VOUT_EN 永远不会变为使能状态。

当我用 VSTOR 短接 VOUT_EN 时、VSTOR 会降至1V。 您是否认为组件已损坏？

我将尝试使用另一个板(我有五个板)

此致

Thierry

您好、Theirry、

如果您将 VOUT_EN 接至 VBAT_OK 的 VSTOR 短接至 VSTOR、则 VBAT_OK 会将 VSTOR 下拉至接地。  

根据您设置的原理图、OK 电阻器将 VBAT_OK_HYST 设置为4.8V、VBAT_OK =2.5V。  请仔细检查您的电阻器。  我以前在中设计电子表格 。

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

在我的原理图中、VOUT_EN 未直接连接到 VBAT_OK、两者之间有一个1、24MOhms 电阻器。

很抱歉、电阻器的值不是最新的。

更新了我的新原理图中的值。

您是否认为充电器可能损坏？

我收到了 BQ25570的评估板。 我将在其中添加带 FET 的修改、并将进行尝试。

此致

Thierrye2e.ti.com/.../Sensor_5F00_Board_5F00_sch_2D00_V1.pdf

您好、Thierry、

IC 可能已损坏。  在电路板未通电的情况下、您能否移除1.24mOHm 电阻器并测量 VOUT_EN 至 GND 以及 VBAT_OK 至接地之间的电阻器？  为了测试焊剂产生的寄生电阻是否存在问题、您能否将 VBAT_OK 电阻器替换为低10倍？

关于 VBAT_OK 和 VOUT_EN 之间的1.24MOhm 电阻器、VOUT_EN 不是典型的逻辑高电平、需要 VSTOR -0.4V 为高电平。  如果 VOUT_EN 引脚存在任何泄漏、则从 VBAT_OK 到 VOUT_EN 的压降可能高于0.4V。   

此致、

Jeff

尊敬的 Jeff：

谢谢、我将在星期五进行这些测试、因为明天和星期四我将不上班。

令我非常惊讶的是、VBAT_OK 永远不会变为高电平。

此致

Thierry