[参考译文] LM5146-Q1：输入/输出瞬态

您好 Abhijeet、

您是否对 VIN 施加步进电压？ 如果是、这可能会在高侧 FET 寄生电容上进行电容耦合、从而传递到输出。 您可以尝试减小输入 dv/dt、并确保使用电解电容[= 4 * Cin]和串联阻尼电阻[= SQRT (Lin_RISTERIENT/Cin)]充分阻尼输入滤波器。

此致、

Tim

您好 Abhijeet、

是的、这看起来像是在阶跃输入之后通过 MOSFET 和电感器随机电容直接耦合到输出。 这主要与拓扑相关。

以下是一些步骤：

1. 检查高侧栅源极电压是否发生泄漏(如果发生此情况、请添加一个10k 栅源极电阻器以减轻此情况)。
2. 选择具有较低输出电容(尤其是 CD)的高侧 FET。
3. 在输入端连接电解输入大容量电容以降低 dv/dt -或使用热插拔电路(例如 LM5069)。
4. 较大的 Cout 有助于吸收尖峰。

此致、

Tim

您好 Abhijeet、

使用齐纳二极管而不是 TVS、因为它具有更精确的钳位电平。

在 PCB 布局方面、只要在第2层上有一个连接各种 GND 过孔的实心 GND 平面、就可以了。 输出电容器 在布局中有一点远、但我怀疑这是当 VIN 卡在高电平时与 VOUT 尖峰相关的主要问题。

最好的选择是在启动时降低 Vin 的 dv/dt。 您可以测量电感器电流、以确认电流尖峰是否以容性方式穿过高侧 FET。

此致、

Tim