[参考译文] LM3478：LM3478的栅极驱动电流 IG

您好 Attila、

感谢您关注 LM3478。

我想它使用数据表中8.2.1.2.7功率 MOSFET 选择中的等式30来计算驱动电流。 但是、AN1484中缺少 Vgsth 信息、因此难以验证。 但请检查方程式30上面段落的注释、估算给出了一个大致的想法。

谢谢、

银城

您好、 心城、

我在 DS 中看到了公式30。

这就是我对它的看法。

流经驱动器阻抗 I=(VDR-Vgsth)/Rdron 的电流

其中

Rdron 是 来自 DS 的16 Ω RDS1 (on)

 在 Si4442DY si4442dy.pdf (vishay.com)上、Vgsth = 1.5V-2.5V

在本例中、VDR 为 Vin (min)=3V。 如果 Vin>7.2V、则可能为7.2V

因此 IG=(3-1.5)/16=0.1A 或(3-2.5)/16=0.03A

这远远不及估算的输入、因为它意味着开关功率损耗是原来的3倍。 1.5W 或5W、而不是0.5W。

因此、我的最后结论是、本应用手册对于粗略估算而言不正确。

但我注意到、TI 使用指南中的错误公式来计算 FET 导通损耗。 电感器均方根/平均电流与开关均方根/平均电流混合。 例如方程式26、第一部分。

错误公式：PdCOND = IQ1 (rms) x RDS (on) x Dmax

好公式： PdCOND = IQ1 (rms) x RDS (on)

其中 IQ1 (rms)是满周期下的 FET 实数 rms 电流。 这些都是实际的 FET IRMS 电流。

好公式：PdCOND = IL (rms) x RDS (on) x Dmax

其中 IL (rms)表示电感器(L1和 L2)在整个周期内的实际 rms 电流波形。

IL (rms)=~IL (avg)=IL1 (avg)+IL2 (avg)=IL1 (avg)+Iout

Attila

您好 Attila、

我认为它考虑了7.2V 的情况。 但是、正如我说过的、很难验证。

IQ1具有误导性、它应指两个电感器电流的组合、即峰值电流和均方根电流。 感谢您的注意！

谢谢、

银城