大家好、
它能否将输入负载突降电压降低 OCP？ 我想使用12V 典型值、但绝对最大值为20V IC、连接到12V BAT。
图10-25. 典型应用电路-具有反向电池保护功能的200V 未抑制负载突降保护表明 OCP 具有 Vout 保护。 如果 LM7480-Q1满足 OCP、会发生什么情况？ 它是否断开 BAT (开/关控制)或仅钳制通过分压电阻器(线性控制)调节的 OCP 电压？
此致、
Ochi
Ochi-San、您好！
感谢您的联系。
如果我理解正确、您将尝试根据 LM 器件的图10-25在 Hgate 和 Dgate 上使用 UCC27524作为电流升压器、请确认。
我不确定我是否理解您的问题、您是否在过流事件期间用作电流升压器时、UCC27524会发生什么情况？
如果是、UCC27524不包含 OCP、并且将需要额外的保护电路、因为 VOUT (LM7480的 C 引脚)预计高达85V、并且 xGate 的通道将需要电平转换器、因为背靠背 FET 不以 GND 为基准。
我们当前用于驱动背靠背 FET 的解决方案包含复制的应用手册、详细介绍了我们的栅极驱动器在类似应用中的使用方式。 该应用手册使用不同的驱动程序、但可以修改为使用 UCC27524。
此致、
-Mamadou
您好 Ochi、
LM7480-Q1用于共源极拓扑时、可保护下游电路免受输入端负载突降所导致的过压影响。 这是通过任一方式实现的
所选的 OV 电路进行选择、如下所示。 
在数据表设计示例(第10.3节)中、选择200V FET、因为负载突降期间 FET 两端的电压为164V (200V - 37V)。 在这里 、输出钳位在~ 37V
如果您希望将输出电压钳制在<20V、则负载突降期间 HSFET 上的应力将大于180V (200V - 20V)。 因此、您必须选择额定电压大于200V 的 FET (考虑到一定的裕度)。
