主题中讨论的其他器件: SN6501、 UCC27201、 UCC27282
大家好、
我想使用您的两个 UCC27282-Q1来驱动完整的 H 桥、如下图所示(电感器代表有刷电机):
是否可以在此配置中使用占空比为100%的 PWM?
我是否可以不明确地将高 MOSFET 保持在高电平、或者在启动电容器放电并关闭高 MOSFET 一段时间后?
在本示例中、我使用低 MOSFET 进行斩波、是否最好使用高 MOSFET?
此致、
Lorenzo
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
大家好、
我想使用您的两个 UCC27282-Q1来驱动完整的 H 桥、如下图所示(电感器代表有刷电机):
是否可以在此配置中使用占空比为100%的 PWM?
我是否可以不明确地将高 MOSFET 保持在高电平、或者在启动电容器放电并关闭高 MOSFET 一段时间后?
在本示例中、我使用低 MOSFET 进行斩波、是否最好使用高 MOSFET?
此致、
Lorenzo
您好 Lorenzo、
对于高侧驱动器的直流运行、 使用自举偏置是不现实的、因为正如您提到的、在某些时候、引导电容器将放电、而高侧驱动器将从 UVLO 功能关闭。
TI 提供的小型简单器件 SN6501和 SN6505旨在生成浮动高侧偏置以解决您的问题。 为 HB-HS 偏置使用浮动高侧偏置将启用直流操作。
确认我的回答可以解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、
您好 Richard、
感谢您的澄清。
如果90%占空比的 Cicle 是可访问的、我是否还需要 SN6501 或 SN6505、或者全 H 桥可以在没有它们的情况下工作?
即、如果场景如下:
电机始终以相同的方向运行、并按如下方式驱动晶体管:
-左侧、高:关闭
-左侧、低:PWM
右,高:开
-右侧、低:关闭
在这种情况下、H 桥的右侧是直流极化的、因此经过一段时间后、正确的引导电容器是否放电?
为了避免 使用 SN6501 或 SN6505、驱动晶体管是否有任何技巧?
此致、
Lorenzo
您好 Lorenzo、
如果低侧开关具有一定的最小占空比、这会导致高侧开关中出现一定的最大占空比(但不是直流)、通常可以使用自举偏置。
在您显示的示例中、右侧显示了 HO ON 和 LO OFF、我假设 HO 是 DC ON。 在这种情况下、右侧高侧仍会存在保持 HB 偏置的问题。
一些设计人员所做的是、在没有直流高侧运行的情况下、低侧开关上具有高占空比和低占空比、从而允许引导电容器充电。 我认为这是一种折衷方案、允许使用自举偏置而不是专用高侧偏置电源。
确认这是否能解决您的问题、或者您可以在此主题上发布其他问题。
此致、