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[参考译文] LM25145：RC 缓冲器、栅极电阻器和与 Cbst (C631)串联的 rBST。

admin
Guru**** 2539780 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A, LM5146-Q1, LM61460

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/972668/lm25145-rc-snubber-gate-resistors-and-a-rbst-in-series-with-cbst-c631

器件型号：LM25145
主题中讨论的其他器件：CSD18543Q3A、 LM5146-Q1、 LM61460

早上好、

我使用了快速计算器和 webench 工具并完成了我的设计。

您认为我应该默认添加一个 RC 缓冲器、栅极电阻器和一个与 Cbst (Cbst 已在设计中)串联的 rBST 吗？或者、除了其中的一些器件之外、可能不是全部？  

输入电压24V 输出电压5.1V、534 kHz 开关频率、47n SS 电容器(4ms) 、CSD18543Q3A 用于两个 MOSFET (60V-35A)。 持续电流4.4A

目前、我的布局空间非常有限、但我也不想冒险。 如果您建议我添加 任何一个 RC 缓冲器、栅极电阻器和与 Cbst 串联的 rBST。  

如果您需要任何其他信息、请告诉我。

此致

Onur

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    TI__Guru**** 2539780 points
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    您好、Onur、

    是的、是的、但如果布局良好、则无需栅极电阻器或缓冲器。 有关功率级布局指南、请参阅应用手册 snva803。 此外、请查看用于8A/400kHz 设计布局的 LM5146-Q1 EVM。

    请注意、我们有一个具有集成 FET 的转换器、可提供24V 至5.1V/4.4A 的电压-请参阅专为低 EMI 而设计的 LM61460 36V、6A 转换器。

    此致、

    Tim

  • 0
    TI__Guru**** 2539780 points
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    早上好、Timothy、

    非常感谢您的反馈。 我们尝试根据数据表信息进行布局。  

    我们没有时间重新旋转布局、因此我们希望添加栅极电阻器 rBST、如果它适合布局、还添加缓冲器。

    对于栅极驱动器电阻器、我计划在必要时添加0欧姆(402封装)电阻器(原理图中的数字1和2)、我稍后将进行更改。

    对于 rBST 电阻器、如数据表中所述、我想添加2.2 Ω 电阻器(402封装)(原理图中的数字3)

    对于缓冲电阻器、我将添加一个1206电阻器2.2欧姆、对于电容器220pF 50V 402封装、我将添加一个1206电阻器。 但我不打算放置它们。 如果需要、我将测量振铃频率并调整这些数字。

    您对上图中的连接以及我为无源器件选择的值和封装有何看法。

    此致

    Onur

  • 0
    TI__Guru**** 2539780 points
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    您好、Onur、

    不要为 低侧 FET 添加栅极电阻器、因为它会影响死区时间性能并可能导致 CDV/dt 击穿。 我甚至不会包含高侧 FET 串联栅极电阻器、因为您真正需要的是用于 控制高侧 FET 导通的 rBST 电阻器。

    对于缓冲器、0805应足以容纳电阻器并将其连接到 GND、以实现更好的散热和更轻松的功率损耗测量。

    更重要的是优化布局-有关功率级布局指南、请参阅应用手册 snva803。

    此致、

    Tim

  • 0
    TI__Guru**** 2539780 points
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    谢谢 Tim。

    此致

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    TI__Guru**** 2539780 points
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    Onur、

    如果没有其他问题、我将结束此主题。

    此致、

    Tim

  • 0
    TI__Guru**** 2539780 points
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    您好、Tim、

    我已经标记了您之前的反馈。 您可以将其关闭。  

    再次感谢。

    Onur

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    TI__Guru**** 2539780 points
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    谢谢 Onur。