大家好、
我的客户希望使用 TL431、如我们数据表中的以下示例所示。
但是、为了提高 BJT 电压耐受性、他们希望用 NMOS 代替 BJT、如下图所示。 您是否认为该电路仍然可以实现 恒流源功能? 谢谢。
此致、
韦恩
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您好 Ben、
感谢您的回复。 有关 TL431 sepc 的另一个问题。 如我们的数据表中的下图所示
在图10中、它表示小信号增益与频率间的关系。 我的问题是:
我们何时应考虑该规格。 在设计 TL431时? 哪种 TL431应用需要此规格?
2.在图,中、其直流增益约为55dB。 图10中的曲线是否根据图11测试电路进行了测试? 如果不是、该55dB 直流增益是在哪里计算的?
谢谢。
此致、
韦恩
您好 Ben、
客户又做了一次测试来检查 TL431启动响应。 它们构建了一个电路、如下图所示。
客户设置 R1=R2=10k、Vsup=12V、CL 为 NC、Rsup=100 Ω。
因此 Vo=5V、Ik=70mA
启动波形如下:黄色=Vsup=12V、绿色=Vref=2.5V、粉色=Vo=5V。 我们可以看到启动时间为8us。
在我们的数据表中、我们可以看到启动时间仅为~2us。
我的问题是:
1.我们如何解释图28和客户测试结果之间的启动时间差异?
2.什么因素会影响启动时间?
谢谢。
此致、
韦恩
您好 Ben、
我的客户进行了另一项测试、将 Rsup=1k 设置为。 因此 Ik =(12V-5V)/1k = 7mA。 但是、我们捕获的启动时间远长于 Rsup=100欧姆且 Ik=70mA 的条件。
因此、根据客户的测试结果、我们可以得出一个结论、即 Ik 越大、启动速度越快。
在我们的数据表图28中、Ik=5mA、但其启动时间为2us、比客户测试 Ik=70mA 快得多。 这与我们的上述结论不符。 那么、我只想与您核实 Ik 和启动时间之间的关系是什么?
此致、
韦恩