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器件型号:BQ2970 主题中讨论的其他器件:CSD16301Q2
您好、TI 专家、
我的客户想要设计自己的电池单元 PCM、他们选择了 BQ29700。
他们希望在数据表第1页的简化版原理图中了解2个 N 沟道 FET 的规格。
您能否推荐 TI 最便宜的器件? 他们终于选择了 BQ29700。
请检查此问题。 谢谢。
此致、
Chase
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您好、TI 专家、
我的客户想要设计自己的电池单元 PCM、他们选择了 BQ29700。
他们希望在数据表第1页的简化版原理图中了解2个 N 沟道 FET 的规格。
您能否推荐 TI 最便宜的器件? 他们终于选择了 BQ29700。
请检查此问题。 谢谢。
此致、
Chase
你好 Chase、
我实际上无法为它们指定 FET。 在为产品、尺寸、电流、热设计等选择 FET 时、有许多因素 如果他们不知道自己的需求、可以考虑 EVM 上使用的 FET:请参阅 https://www.ti.com/lit/pdf/sluuaz3 Q1和 Q2 、CSD16301Q2。 该 FET 的 RDSON 额定电压低至3V、BQ297000的 UV 为2.8V、因此在某些情况下 FET 电压会增加到超出规格值。 其他 FET 可从 http://www.ti.com/mosfet 上的选择表中找到 。 选择表中没有有关 RDSON 的大量信息、您可以选择一个候选项并向 FET 专家寻求更多指导。