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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/986522/lm5030-ic-mosfet-die-when-power-is-applied
你(们)好
我的设计如下。
输入：DC24V
输出：直流100V 2.5A
频率：70KHz
变压器： TON_6T：35T / L=200uH
当在空载条件下仅接通电源时、LM5030、MOSFET 会裸片。 是否有要检查的内容？
所附为电路图和 MOSFET 栅极波形。
e2e.ti.com/.../OSTEO.pdf
谢谢
尊敬的 David：
初级 FET 需要一些钳位；此外、整流器的额定电压不适合： 2x 24Vin x 35/6 = 280V。 在 CCM 下的这个电压电平下、请检查整流器的 Qrr、也需要钳位。 变压器的磁化电感相当大、请检查斜率补偿是否足够。
这些是我对您的功率级的第一个想法、祝您一切顺利、Bernd
感谢您的支持。
我还有其他问题。
1. 2x 24Vin x 35/6 = 280V。
=>做 x2的重点是什么？
即使在推挽应用中也必须使输入电压翻倍？
2. 检查整流器的 Qrr、也需要夹紧。
=> Qrr 是 MOSFET 的 Qrr 的意思是什么？ 所用 MOSFET 的 Qrr 为0.32uC。 我们是否需要更改它？
钳位意味着缓冲器？
Bernd 在访问 e2e 论坛时遇到一些问题。 我正在为他发布他的回复。 请参阅下面的和随附的内容。
e2e.ti.com/.../OSTEO-PwrStg.pdf
FET 看到的电压应力是输入电压的两倍；这是通过 XFMR 传输的电压。
整流器具有结电容、能量存储在那里、因此电荷 Q 这种能量会导致振铃以及变压器漏电能量。
需要钳制、实际上是通过 RC 缓冲器电路。
400V SiC 二极管在这里可能会有所帮助。
