[参考译文] LM5106：VDS 高侧和低侧半桥中无死区时间

你好 Richard  

感谢您的回复。

下图是 IC LM5106的 LO 和 HO 输出到 GND：

CH1 (黄色)为 HO、而 CH2 (蓝色)为 LO。

因此死区时间完全正确、为400nS。 尽管有时在输入 PWM 中占空比较小(25KHz)、但 HO 并不那么干净、您可以在下图中看到：

但是、当我检查 HO 至 HS 和 LO 至 GND 时、死区时间和波形始终是干净而完美的：

**因此，我确信高侧和低侧栅极源极电压良好，具有我所需的正确400nS 死区时间。**

问题就像我之前提到的、VDS 或两个 MOSFET 漏源极电压同时开关 、当我检查直流线路电压和电流时、我恰好在这些高侧和低侧 MOSFET 开关时出现尖峰。  

我原本希望漏源电压跟随 Vgs、但我看到它不是这样。

例如、下图显示了低侧 MOSFET 的栅极-源极和漏极-源极电压。  

这张图片清楚地显示、VDS 在我打开栅极源极电压之前打开。

或者、对于高侧 MOSFET、我可以展示这张图片、其中显示了漏极源极电压并不完全遵循栅极源极电压：

我需要知道原因。

此致。