• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 2 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 139 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD15380F3：漏源电流泄漏

admin
Guru**** 2381130 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD15380F3, CSD13385F5, CSD13380F3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/984086/csd15380f3-drain-to-source-current-leakage

器件型号：CSD15380F3
主题中讨论的其他器件： CSD13385F5、 CSD13380F3

您好！

25°C 时漏源电流泄漏最大值为50nA；但我想了解这在125°C 环境下的变化情况；您能评论吗？ 此外、哪些 TI MOSFET/NexFET 的漏源漏电流最低？

谢谢、

HSG

  • 0
    TI__Guru**** 2381130 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 HSC、

    感谢您的查询。 IDSS 具有正温度系数。   有关详细信息、请参阅此技术文章。 尽管本文中的曲线适用于不同的 FET、但总的来说、所有 FET 都将显示类似的行为。

  • 0
    TI__Guru**** 2381130 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    我应该补充的是、具有最低额定 IDSS 的 FET 是 CSD15380F3、CSD13380F3和 CSD13385F5。

    此致、

    John Wallace

    TI.com 上的 MOSFET 技术信息