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[参考译文] CSD15380F3：漏源电流泄漏

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD15380F3, CSD13385F5, CSD13380F3
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/984086/csd15380f3-drain-to-source-current-leakage

器件型号：CSD15380F3
主题中讨论的其他器件： CSD13385F5、 CSD13380F3

您好！

25°C 时漏源电流泄漏最大值为50nA；但我想了解这在125°C 环境下的变化情况；您能评论吗？ 此外、哪些 TI MOSFET/NexFET 的漏源漏电流最低？

谢谢、

HSG

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好 HSC、

    感谢您的查询。 IDSS 具有正温度系数。   有关详细信息、请参阅此技术文章。 尽管本文中的曲线适用于不同的 FET、但总的来说、所有 FET 都将显示类似的行为。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    我应该补充的是、具有最低额定 IDSS 的 FET 是 CSD15380F3、CSD13380F3和 CSD13385F5。

    此致、

    John Wallace

    TI.com 上的 MOSFET 技术信息