[参考译文] TPS51220A：用于 Ave 仿真的外部电阻器电流感应

您好！

很抱歉、您的意思有误。  对于使用外部电流感应电阻器的情况、我认为它可以转换为 使用 DCR 感应的条件。

我稍后会对其进行研究、并为您提供反馈。

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：

感谢你的答复。

我已经拥有 PSpice 和 slim157a。

但我认为 slim157a  是 DCR 电流感应。

我找不到外部 电阻器电流感应 Ave 模型。

我想获取外部电阻器电流感应的波特图。

您知道如何获取它吗？

谢谢。

T.Morimura

尊敬的 Andrew：

感谢您的补充回复。

我期待您的反馈。

谢谢。

T.Morimura

您好！

首先、我想检查一下：您是否使用了数据表中图47所示的外部电阻器电流感应方法？ 或者您没有添加 RC 滤波器、只是将外部电阻器上的电压输入 CSP/CCSN？

以确保我正确理解您的应用。

谢谢、

Andrew

您好！

是的、我将使用图47方法并 添加 RC 滤波器。

此外、我想添加 RC 电阻器、如图49所示、用于外部电阻器电流感应。

(我将添加 Rx、Cx 和 RC 以进行外部电阻器电流感应。)

谢谢、

T.Morimura

正如您最初的问题中提到的、我们没有用于外部电阻器感应的平均电流模型、但我想我已经考虑过将外部电阻器感应电路转换为 DCR 感应电路的想法。

对于外部电阻器感测电路：如果不考虑外部电阻器的 ESL，则外部电阻器上的电压等于 IL*Rs，该值进入 CSP-CSN。 在这里、IL 是电感器电流、Rs 是外部电阻器的电阻。

如果考虑外部电阻器的 ESL，使用如图47所示的 RC 滤波器，则电压进入 CSP-CN 等于 IL*(s*Lx+Rs)/(sCxRx+1)。 使用公式(18)，电压也等于 IL*Rs。

最重要的是，采用外部电阻器感测方法的 CSP-CSN 电压等于 IL*Rs。

对于 DCR 感测方法、首先我们可以得到电感器上的电压等于 IL*(SL+DCR)。 进入 CSP-CSN 的电压等于 IL*(SL+DCR)*(RS2||1/SCS)/(RS1+RS2||1/SCS)。 此处"|"表示获得并联阻抗。 简化方程式，我们可以得到电压进入 CSP-CSn= IL*(SL+DCR)*RS2/(RS1+RS2+s*cs*RS1*RS2)。

如果我们希望 DCR 感应模型可以与外部电阻模型等效，则只需：RS1+RS2=DCR、CS*RS1*RS2=L、RS2=Rs。

但使用此方法时、外部电阻必须小于 DCR。 与 DCR 相比、您使用的外部电阻是多少？

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：

感谢你的答复。
我将使用以下器件。

L：4.7uH、14.4m Ω
Rs：5m Ω

RX：10欧姆
Cx：470pF
RC：33 Ω

我无法详细理解您的建议。
我应该使用哪些值？
谢谢、

T.Morimura

您好！

感谢您提供的信息。

根据我的理解、将参数转换为 PSpice 的 DCR 感应模型后、我认为该值应如下所示：

RS2=5m Ω。 RS1=13.76m Ω。 CS=0.089H。

L=4.7uH、DCR=14.4m Ω。

但是、获取这些值的方法只是基于理论分析。 我将在今天和明天对 EVM 进行一些有关这种方法的验证、以检查精度。

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：
感谢您的参数。
请让我仔细检查。

CS=0.089H 是0.089F、对吧？

您将检查 EVM 的参数、如下所示、对吧？

L：4.7uH、14.4m Ω

Rs：5m Ω

RX：10欧姆
Cx：470pF
RC：33 Ω

谢谢、
T.Morimura

是的、应为0.089F。

我想检查 EVM 以验证获取等效参数的方法。 我将看到我是否可以找到类似的组件来执行测试。

谢谢、

Andrew

感谢您的提醒。

我将在实际电路中使用外部电阻器、并查看波特图是否与理论等效 DCR 仿真结果匹配。

Andrew  

尊敬的 Andrew：
很抱歉我迟到了。

我想按如下方式更改参数。
您能告诉我 DCR Ave 仿真的参数吗？

L：4.7uH、DCR：14.4m Ω

Rs：5m Ω

RX：10欧姆
Cx：470pF
RC：10 Ω

LX (ESL)：0H

我附上图47'作为参考。

谢谢
T.Morimura

您好！

感谢您的更新。 实际上、昨天我的基准测试中的方法有一些不匹配。 很抱歉，我的时间刚刚被其他一些紧急支持案件占用，没有时间对此进行进一步检查和研究。

我想知道您是想使用此类应用的仿真方法、还是只想验证您设计的系统是否稳定。 如果您只是想验证系统是否稳定、您可以先向我介绍系统的原理图和工作条件、我可以在工作台上为您进行类似条件的波特图测试。 这可能会首先消除系统开发中的障碍。 稍后、我将在有时间研究仿真方法后对其进行更新。

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：

感谢您的回复。
请让我连接电路。
您能告诉我 Ave 仿真的参数吗？

L1101：4.7uH、DCR=14.4m Ω
C1127、C1177、C1178 (Cout)：所有陶瓷

然后、我将按如下方式更改该值。

RC (R1130)：33 Ω-> 10 Ω

我想知道对稳定性的影响。

谢谢、
T.Morimura

您好！

感谢您提供的信息。 因此、除了所附原理图中的电容器外、输出轨上没有其他电容器、对吧？

我将在明天(星期六)结束前完成基准测试、并向您提供反馈。

对于 用于 Ave 仿真的参数、正如我之前提到的、我发现与理论分析结果和预期存在一些不匹配、但我没有足够的时间最近对此进行进一步研究。 在我有一些时间后、我将会对此进行更新、并明确说明这一点。

首先、让我们重点了解一下这个特定应用的稳定性、我将先在工作台上检查它、并为您提供有关结果的反馈。

谢谢、

Andrew

您好！

感谢您的回复。

实际上、输出 Rai 上还有一些其他电容器。 但也有 FB 的分离。

我期待您的反馈。

谢谢、

T.Morimura

谢谢。 我将在完成测试后向您提供反馈。

Andrew

大家好 、Morimura、

我刚刚使用与原理图类似的组件完成了 EVM 的基准测试：

L=4.7uH、Rdc=13m Ω。

COUT=247uF、2*100uF+47uF。 我在实验室中没有找到3325 MLCC、因此为了避免电容降级、我只能使用100uF POSCAP。 其 ESR 为18m Ω，可以在环路中产生零点，频率为1/(2*PI*ESR*C)=88kHz。 与 MLCC 解决方案相比、这可能带来更高的相补角。

CSP~CSn 上的滤波器与您的10 Ω/10 Ω+4.7nF 滤波器相同。

还会将 COMP 组件调整为与原理图相同的值：3.4k Ω 与1nF 并联。

这是具有0A 的波特图。

这里是5A 的波特图。

我认为应提高相补角以确保稳定性。

谢谢、

Andrew

尊敬的 Andrew：

非常感谢您参加基准测试。

我很抱歉、因为我没有解释"XX"。
"XX"表示"不安装"。
C1109是"不安装"。

您能否按如下所示重新检查参数？
(关于 Cout、我将按如下方式进行更改。)

-C1109：无安装
Cout：47uF (MLCC) x 5件

如果相位裕度不够、请向我提供应更改哪个参数的建议。

谢谢、

T.Morimura

感谢您的解释。 我将再次进行测试、并在明天向您提供反馈。

Andrew

尊敬的 Andrew：

感谢您的回复。

我期待您的反馈。

谢谢、

T.Morimura

您好、Morimura、

Andrew 今天将对其进行测试。 将很快向您提供反馈。

感谢您的理解。

尊敬的 Andrew：

非常感谢您的回答！！

我感到很放松！

如果可能、您能否提供从外部电阻器感应到 DCR 感应的参数公式？

谢谢、

T.Morimura