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器件型号：BQ24610 你(们)好
采用 BQ24610的客户设计、在生产过程中发现 HIDRV FET 断开、MOS 规格为30V/6A SOT-23 NMOS、
高侧 FET 将在何时分解？
谢谢
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您好 Mike
感谢您的回复。
附上了原理图供您参考。
目前，在试制期间，发现四块电路板被拆分，BQ24610被损坏。 30V/15A 充电 MOS 和 P-MOS 使用30V/6A。
发现四个芯片损坏、四个电路板的充电 MOS 管都损坏(Q4、Q5)
正在等待您的回复。
谢谢
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