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[参考译文] BQ24610：BQ24610高侧 FET 损坏

admin
Guru**** 2405415 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24610

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1009749/bq24610-bq24610-high-side-fet-broken

器件型号：BQ24610

你(们)好

采用 BQ24610的客户设计、在生产过程中发现 HIDRV FET 断开、MOS 规格为30V/6A SOT-23 NMOS、

 高侧 FET 将在何时分解？

谢谢

星号

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    TI__Guru**** 2405415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Star：

    我需要更多的细节、而不是刚刚中断。 原理图是什么、工作条件是什么等？

    谢谢

    Mike Emanuel

  • 0
    TI__Guru**** 2405415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Mike

    感谢您的回复。

    附上了原理图供您参考。

    目前，在试制期间，发现四块电路板被拆分，BQ24610被损坏。 30V/15A 充电 MOS 和 P-MOS 使用30V/6A。

    发现四个芯片损坏、四个电路板的充电 MOS 管都损坏(Q4、Q5)

    正在等待您的回复。

    谢谢

    星号

  • 0
    TI__Guru**** 2405415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    星型、

    您可以发送更清晰的原理图吗？ 不清楚哪些节点已连接或只是重叠。 是否也可以使用具有不同对比度的原理图？

    谢谢、

    Mike Emanuel