[参考译文] TPS2301：TPS2301

您好 Alexei、

感谢您与我们联系。 我正在研究它、并将在明天早上(IST)之前返回给您。

您好 Alexei、

请在 C652的位置填充3.3nF 或更多电容值、以降低输出电压压压摆率。 请告诉我们、启动成功进行、或者在实施后未成功启动。   外部 MOSFET 的栅极和接地端之间需要额外的电容(CG)、以限制浪涌电流。 根据原理图、电流限制(ILMT)设置为1.13A。因此、浪涌电流应限制为 ILMT 的最大60%、即678mA。 请参阅以下公式计算 Cg 值以限制浪涌电流。

尊敬的 Avishek：

感谢您的详细回答。 请参阅以下填充3.3nF 电容器代替 C652后的波形。

现在、它看起来很实用。

第1张和第2张图片：黄色- Vin、绿色- Gate、蓝色-计时器、粉色- Vout

第3张和第4张图片： 黄色-输入电压、绿色-门、蓝色-计时器、粉色-启用

但 我的另一个通道上存在类似的问题。 主要区别是 Vin 电压[1V]。

此外、 由于低电压限制、它还在器件的另一侧实现。

请参阅下面的方案：

栅极电容器3.3nF 对[C677]没有帮助。 请参阅以下具有3.3nF 栅极的1V 通道的启动波形。

第1张和第2张图片：黄色- Vin、绿色- Gate、蓝色-计时器、粉色- Vout

第3张和第4张图片： 黄色-输入电压、绿色-门、蓝色-计时器、粉色-启用

您好 Alexei、

感谢您分享更新、很高兴知道电路现在工作。 但是、通道2的建议工作电压范围为3V 至5.5V。因此、它可能无法在1V 输入下工作。  

尊敬的 Avishek：

1V 通道是根据 TI 应用手册文档[SLVA110]中的建议实施的。

请参阅以下内容：

我是否理解错了？

请更新。

谢谢

您好 Alexei、

我找不到此应用手册。 请您与我共享 PDF 文件。  

e2e.ti.com/.../TPS2301-Low-Voltage-Application.pdf

您好 Alexei、

非常感谢您的分享。 请让我来讲解一下。 今天(IST)结束后、我将再次与您进行讨论。

您好 Alexei、

我认为我们需要在 C677上安装3.3nF 陶瓷电容器、以降低浪涌电流、如前所述、对于通道1、这一点很重要。 无论 是否正在启动、请随时向我们发布状态。

尊敬的 Avishek：

C677上已经填充了3.3nF 电容器。 请参阅最后4个范围屏幕截图。  

但是、此更改未解决问题。   

Alexei

您好 Alexei、

我正在研究这个问题、并将在明天再次与您讨论。  

您好 Alexei、

您是否有适用于 TPS2301的 EVM。 您是否能够在 EVM 上进行测试？

你好，Avishek

遗憾的是、我没有 EVM。

我看到该产品不再生产。  我将介绍 TPS2301EVM-153。

是的、Alesei。。 这就是我也没有 EVM 的原因。 我想在 EVM 中测试这种1V 架构。 不过、我将再次详细查看原理图并返回给您。

您好 Alexei、

这是您要测试的新设计还是旧设计？ 请更换控制器并进行检查。 它无法在一个电路板或您拥有的所有电路板中启动吗？  

你好，Avishek

这 是一种新设计。

我有3个附加电路板、  与1V 电压有完全相同的问题。

您好 Alexei、

我正在向您发送朋友请求。 请接受。 我们将通过私人消息进行通信。