主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、
您好!
我已经看到过一些与该问题相关的帖子、但它没有解决我的问题。
问题是 SoC 降至20%、但电压仍然很高。 EDV_CMP 位被置位、所以不使用 EDV 阈值2 (3100mV)。 我们使用的是 Sony US18650VCT6电池。 我已经检查了芯片中是否设置了正确的化合物。
我们为什么会得到这种下降?

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您好!
我已经看到过一些与该问题相关的帖子、但它没有解决我的问题。
问题是 SoC 降至20%、但电压仍然很高。 EDV_CMP 位被置位、所以不使用 EDV 阈值2 (3100mV)。 我们使用的是 Sony US18650VCT6电池。 我已经检查了芯片中是否设置了正确的化合物。
我们为什么会得到这种下降?

尊敬的 Martin:
我刚刚再次查看了.gg.csv 文件(数据闪存设置)。 我注意到 Battery Low %参数设置为20%。 此参数的默认值为7%。 在20% SOC 时、电池的放电曲线会更平坦、因此更难根据电压阈值交叉准确检测20%点。 曲线中较陡的部分(约7%)更适合 EDV 检测。
我认为补偿有效。 根据波形、最后一幅图显示了待定 EDV -看起来大约为3250mV。 固定的 EDV2设置为3100mV。
此致、
Matt
尊敬的 Martin:
我同意-电压很高。 待定 EDV 为高电平-您之前共享的.gg 文件显示 CEDV 补偿参数设置为器件默认值、因此看起来不像这些参数是为您的特定电池配置的。 您是否完成了为电池生成这些参数的过程? 本文档的电量监测部分介绍了以下过程: https://www.ti.com/lit/an/slua924/slua924.pdf
否则、您可以设置 EDV_CMP = 0以使用固定值。 但这不会在整个负载和温度范围内提供最佳精度、因为 EDV2点不会得到补偿。
此致、
Matt
您好、Matt、
我尝试了参数估算并返回参数。
EMF 21571
EDVC0 101
EDVC1 0
EDVR1 1.
EDVR0 1
EDVT0 1
EDVTC 11.
VOC75 3935
VOC50 3808
VOC25 3752
在数据表中、您向我发送的数据表中未写入任何参数 VOC75/50/25。 我也必须刷写它们吗? 我刷写了这些参数、但在没有电流的情况下、从制造商数据表的 SOC/电压图中读取时、SOC 比 SOC 低大约10%。
尊敬的 Martin:
BQ78350不使用 VOC75/50/25参数。
对于 BQ78350、加电或复位后的 SOC 由 ChemID 确定。 BQ78350使用 ChemID 最初仅根据电池电压估算 SOC。 当电池完全放松(没有最近的充电或放电)、但电池电压在负载下或充电期间确实发生变化时、这可以是一个很好的 SOC 估算、因此完全放松可能需要2小时。
复位后、BQ78350将跟踪进出电池的电荷、并使用 CEDV 参数补偿 EDV 阈值、并在发生完全放电时重新计算满电量。 您是否在 CEDV 监测配置寄存器中设置了 EDV_CMP 位来启用补偿(否则不使用 CEDV 参数)。
此致、
Matt