主题中讨论的其他器件:LM5067、 TPS1663、 TPS25947
你(们)好
我们在设计中使用 LM5069-1。 我在 TI 网站上找到了用于客户电路板仿真的 TINA TI 仿真模型(snvm598)。
但我不会得到与参考仿真文件相同的计时器波形。 随附仿真 files.e2e.ti.com/.../LM5069-Simulation.zip
如果我的电路中有任何错误、请告诉我。
此致
Srikanth Kacchu
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你(们)好
我们在设计中使用 LM5069-1。 我在 TI 网站上找到了用于客户电路板仿真的 TINA TI 仿真模型(snvm598)。
但我不会得到与参考仿真文件相同的计时器波形。 随附仿真 files.e2e.ti.com/.../LM5069-Simulation.zip
如果我的电路中有任何错误、请告诉我。
此致
Srikanth Kacchu
e2e.ti.com/.../7824.LM5069-Simulation.zip
您好、Rakesh
请忽略之前的附件并考虑这一点。
此致
Srikanth Kacchu
您好 Srikanth、
功率限制值的选择取决于热插拔 FET 的 SOA 功能。 更低的功率限制 更好地减小 FET 的应力、但它应足以在启动期间支持负载。 因为启动电流将由功率限制引擎确定为 PLIM/VDS
请使用设计计算器来最终确定组件。 可从 www.ti.com/.../LM5067获取
此致、
Rakesh
您好 Srikanth、
较大的电容会导致浪涌电流。 因此、值越低、从浪涌电流的角度来看就越好。
您的所有4种设计看起来都很好。 评论很少
为什么在+15V 和-15V 设计上使用额定电压为150V 的 FET? 我认为、它是重复使用48V 设计中的相同组件。
为了提高 SOA 裕度、您可以将 +15V 和-15V 设计上的计时器电容降低至100nF。 此外、TPS25947和 TPS1663可用于15V 和48V 电源轨。 请看一下并告诉我。
此致、
Rakesh
请参阅 https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/selecting-tvs-diodes-in-hot-swap-and-oring-applications 和 https://www.powerelectronics.com/technologies/circuit-protection-ics/article/21853356/tvs-clamping-in-hotswap-circuits
您可以在 +15V 和-15V 设计中使用 SMBJ18A、 在+48V 和-48V 设计中使用 SMBJ54A
肖特基二极管:
在15V 设计中使用 B220A-13-f、在48V 设计中使用 B260A-13-f。
BR、Rakesh