[参考译文] UCC256403：软启动期间的 MOSFET 击穿

嗨、Rock

我在您的波形中找不到击穿、这对我来说是正常的。 您能否同时测试 LO 和 Ho-HS？

云生

您好、Yunsheng、

当前的问题是、在软启动期间、前几个周期的频率通常为160KHz、但后者将下降至140KHz、从而导致 OCP 启动。

嗨、Rock

然后、它是谐振过冲问题、可以通过减小 VCR 引脚的下拉电容器和增加 LL/SS 引脚上的下拉电容器来优化它。

云生

您好、 Yunsheng、

感谢您的反馈、开启问题得到了解决。 但还有其他问题。

您可以看到、对于二手 CoolMOS、导通占空比是可以的、您可以看到以下波形、

但是、如果使用 GaNMOS、导通占空比异常、您可以看到以下波形、

在这种情况下、要调整 LL/SS 引脚电阻会有所帮助？ 谢谢。

嗨、Rock

您使用的是哪款 GaN 器件？ 您能否与 GaN 器件共享原理图？

波形看起来像是 VCR 受到干扰、您可能需要重新布局 VCR 引脚上的下拉电容器导线、使下拉电容器的环路非常短。

云生  

您好、 Yunsheng、

谢谢、请参阅原理图和 GaN MOSFET 数据表。

e2e.ti.com/.../CoolGaN_5F00_1ch_5F00_140_5F00_PrelimDS_5F00_230320.pdf

岩石、

QP3应该是低侧 GaN FET、您是否还可以共享高侧 GaN 的原理图？ 高侧的 VCC 对于开启高侧 GaN 至关重要。 如果高侧 GaN 无法有效导通、谐振电容器的电压不正确、这会导致 VCP 引脚的波形错误、则 LO/HO 信号不正确。

云生

您好、Yunsheng、

请参阅高侧 GaN MOS QP2、UCC256403电荷泵的 Vcc 和470nF 的电荷泵。

是否可以正确驱动 MOS？ 谢谢。

嗨、Rock

470nF 由于充电器泵太小、建议将其增加至1uF。

该值是多少？ 您能帮助测试 VCR 引脚上的波形吗？

云生

您好、Yunsheng、

该值为100pF、谢谢、我将要求客户测试波形。

e2e.ti.com/.../NW150W_5F00_SCH_2D00_LLC_2D00_UCC256404.pdf