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[参考译文] UCC256403：软启动期间的 MOSFET 击穿

admin
Guru**** 2394305 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC256403

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1002858/ucc256403-mosfet-shoot-through-during-the-soft-start

器件型号：UCC256403

你(们)好  

我的客户在开关频率为200kHz 的54V/150W 中使用了 UCC256403、但 MOSFET 将 在软启动期间击穿、

下面的波形为 CH1：GATE、CH3：SS、CH4：ISNS

原理图如下、RS5现在使用470R、L=510uH、Turn raio=24：7、Cr=33n、LR=70uH。

调整 LL/SS 的电容是否有帮助？

感谢并等待反馈

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    嗨、Rock

    我在您的波形中找不到击穿、这对我来说是正常的。 您能否同时测试 LO 和 Ho-HS？

    云生

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好、Yunsheng、

    当前的问题是、在软启动期间、前几个周期的频率通常为160KHz、但后者将下降至140KHz、从而导致 OCP 启动。

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    嗨、Rock

    然后、它是谐振过冲问题、可以通过减小 VCR 引脚的下拉电容器和增加 LL/SS 引脚上的下拉电容器来优化它。

    云生

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好、 Yunsheng、

    感谢您的反馈、开启问题得到了解决。 但还有其他问题。

    您可以看到、对于二手 CoolMOS、导通占空比是可以的、您可以看到以下波形、


    但是、如果使用 GaNMOS、导通占空比异常、您可以看到以下波形、

    在这种情况下、要调整 LL/SS 引脚电阻会有所帮助？ 谢谢。

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    嗨、Rock

    您使用的是哪款 GaN 器件？ 您能否与 GaN 器件共享原理图？

    波形看起来像是 VCR 受到干扰、您可能需要重新布局 VCR 引脚上的下拉电容器导线、使下拉电容器的环路非常短。

    云生  

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好、 Yunsheng、

    谢谢、请参阅原理图和 GaN MOSFET 数据表。

    e2e.ti.com/.../CoolGaN_5F00_1ch_5F00_140_5F00_PrelimDS_5F00_230320.pdf

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    岩石、

    QP3应该是低侧 GaN FET、您是否还可以共享高侧 GaN 的原理图？ 高侧的 VCC 对于开启高侧 GaN 至关重要。 如果高侧 GaN 无法有效导通、谐振电容器的电压不正确、这会导致 VCP 引脚的波形错误、则 LO/HO 信号不正确。

    云生

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好、Yunsheng、

    请参阅高侧 GaN MOS QP2、UCC256403电荷泵的 Vcc 和470nF 的电荷泵。

    是否可以正确驱动 MOS？ 谢谢。

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    嗨、Rock

    470nF 由于充电器泵太小、建议将其增加至1uF。

    该值是多少？ 您能帮助测试 VCR 引脚上的波形吗？

    云生

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    TI__Guru**** 2394305 points
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    您好、Yunsheng、

    该值为100pF、谢谢、我将要求客户测试波形。

    e2e.ti.com/.../NW150W_5F00_SCH_2D00_LLC_2D00_UCC256404.pdf