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[参考译文] LM5140-Q1：开关节点上的二极管

admin
Guru**** 2815075 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5143-Q1, CSD18543Q3A, CSD18563Q5A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1000433/lm5140-q1-diode-on-the-switching-node

器件型号：LM5140-Q1
主题中讨论的其他器件：LM5143-Q1、 CSD18543Q3A、 CSD18563Q5A

大家好、团队、

客户想要移除一些组件：

缓冲器网络(R10和 C10)用于减少开关节点上的振铃、我会让客户保留、以防他们需要。 (但无需组装)

对于二极管、它们需要将其移除、但为了避免尖峰或振铃可能会导通 Q1体二极管、这种做法看起来是一种保护措施。

您能否确认以下二极管的需求？

谢谢、

日落

  • 0
    TI__Guru**** 2815075 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    是的、由于在死区时间内几乎不导通、因此可以移除反并联二极管。 只需确保低侧 FET 具有低 Qrr。 查看 LM5143-Q1 EVM、了解未使用二极管的类似设计。

    此致、

    Tim

  • 0
    TI__Guru**** 2815075 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 Tim、

    通过保持在 TI MOSFET 上、 CSD18543Q3A 是否足够好以避免 D3？

    您是否会推荐其他 NexFET？

    或者、通过使用 CSD18543Q3A 、您必须拥有什么？

    LM5143-Q1似乎具有其他 MOSFET ...

    谢谢

    日落

  • 0
    TI__Guru**** 2815075 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    LM5143-Q1是一款 Q 级控制器、因此它通常使用 AEC-Q101 MOSFET 来满足汽车应用的需求。 但是、NexFET 适用于商业级应用。 根据输出电流和开关频率要求、最好使用5 x 6mm 封装 MOSFET 来提高热性能-例如 CSD18563Q5A。 只需确保 Rdson 的额定 Vgs = 4.5V、因为 LM5143-Q1的栅极驱动振幅为5V。

    此致、

    Tim