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尊敬的 TI 支持:
1 -我使用 ISO5452作为 IGBT 的 DESAT 保护。 IGBT 在300A 下的 VCE=5V、在此电流上、我想保护。 请告知如何将应用设置为9V -(DESAT 阈值)。
我是否可以添加串联的齐纳二极管? 二极管的器件型号是什么 (假设来自引脚 DESAT 的500uA 电流流经齐纳二极管)?
2 -正如我在用户手册中看到的、您将10欧姆的电阻器串联到 VCC1 (引脚15)。 (图54)。
请说明为什么是10欧姆?。 如果我输入1欧姆-这是错误吗? 发生什么事了?
谢谢你
Avner
Avner、
[引用 userid="486332" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/999712/iso5452-iso5452 "]-我使用 ISO5452作为 IGBT 的 DESAT 保护。 IGBT 在300A 下的 VCE=5V、在此电流上、我想保护。 请告知如何将应用设置为9V -(DESAT 阈值)。
我是否可以添加串联的齐纳二极管? 二极管的器件型号是什么 (假设来自引脚 DESAT 的500uA 电流流经齐纳二极管)?
[/报价]是的、您可以这么做、这是提高等效 DESAT 阈值的常见做法。 齐纳二极管需要注意的关键规格是额定功率(以 mW 为单位)和 VZ 齐纳电压。
MW 额定值我们需要 si 500uA*(9V-VCE (典型值)),它实际上很低,因此几乎任何小型封装齐纳二极管都可以在这里工作。
通常、1-2肖特基二极管或 PN 二极管串联以阻止漏极/集电极处的高电压将去饱和阈值降低 V_DESAT-n*VF,其中 n 是串联的电压数,就像您说过的那样,您可以通过添加齐纳电压进行补偿,该电压变为 V_DESAT-n*VF+VZ。
至于器件建议、我无法提供我们在参考设计中使用的确切器件建议、但齐纳二极管的额定功率为100mW、这已经足够了、您可以查找此额定功率下常见的2-3V 齐纳二极管。 任何一个都应该良好、因为功耗会很低
[引用 userid="486332" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/999712/iso5452-iso5452 "]2 -正如我在用户手册中看到的、您将10欧姆的电阻器串联到 VCC1 (引脚15)。 (图54)。
请说明为什么是10欧姆?。 如果我输入1欧姆-这是错误吗? 发生什么事了?
[/报价]我不确定、但目的是两件事之一(可能都是两件事)。
在初级侧 VCC1发生死区短路的情况下进行#1电流限制、但我们通常在次级侧看到这种情况、因此我认为它可能是#2。
2它还会对去耦电容器产生 RC 效应、因此对于衰减 VCC1上的开关噪声也很有用。
如果回答了您的问题、请单击绿色按钮让我知道、如果您有任何其他问题、请告诉我。
最好
Dimitri