[参考译文] LM66100：有效的 PFET 驱动拓扑？

尊敬的 David：

感谢您与我们联系。

当 CE/引脚电压大于 IN 引脚电压时、内部 FET 栅极被拉低。 但是、正如您正确地说过的、FET 的体二极管在输入大于输出时仍然导通。  

在您共享的图像中、IN = 3V、CE/= 5V、因此您可以看到、

1. 内部 FET 被禁用、由 ST 引脚电压= 2.2mV 表示、这意味着低电平。
2. OUT = 2.21V、即(IN-二极管压降)。  

这是 IC 的预期行为。 如果我在这里遗漏了任何东西、请告诉我。  

您似乎正在尝试 使用 分立式 MOSFET 实现 ORing、如 数据表的以下电路所示。 有关此电路的测试结果、请参阅数据表中的"9.2.3使用分立式 MOSFET 进行 ORing "部分。  

非常感谢 Praveen 的确认。

实际上、我尝试在3V 到1.8V 之间进行调节、这与数据表电路类似、但关键区别在于第三个5V 信号需要作为触发器在它们之间进行切换。

我将得出结论、LM66100不太适合这种情况。 理想情况下、我会使用电源多路复用器、但我没有发现任何具有足够低功耗的器件、因此我尝试使用 LM66100。

总之、我可以使用~4分立式 FET 解决这个问题、因此我将对此进行实验...

再次感谢、

David