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[参考译文] LM5110:在关断模式下驱动器强度下拉至低电平

Guru**** 2529560 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5110, UCC27524

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/998390/lm5110-driver-strength-pulling-low-in-shutdown-mode

器件型号:LM5110
主题中讨论的其他器件: UCC27524

我需要对 LM5110-1M/NOPB 栅极驱动器进行澄清。

LM5110数据表没有提到当 SHDN 引脚为低电平时该器件的驱动强度会‘低电平’。  我猜在关断模式下,‘低’驱动强度可能比启用部件时弱,不处于关断状态。 请尽可能提供同样的说明。

Raymond

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    雷蒙德

    感谢您关注我们的驱动器。

    根据驱动强度、我假设您是指驱动电压。

    当 SHDN 为低电平时、IC 在低功耗模式或待机模式下被禁用、其中 OUTA 和 OUTB 都被禁用并保持低电平、直到 SHDN 再次切换为高电平、如数据表中的表2所示。 在此期间、输出引脚保持低电平、并且不会拉/灌入电流来对任何(电容)负载进行充电/放电。

    此致、

    -Mamadou

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    我实际上是指接地阻抗、但我回答了我的问题。 也许一点上下文可能有用。 我使用 LM5110来驱动直流/直流相移桥式正向转换器中的同步整流器(SR) FET、 而发送到 LM5110的 SHDN 信号失效的时间有点晚、这样在上电时转换器的前6个或7个开关周期中、LM5110会被禁用(处于关断模式)。 当转换器导通时、SR FET 会出现高 dV/dt (漏源)、这会导致由于 SR FET 的 CGD 和 CGS 电容比而在其栅极出现电压。 我担心 SR FET 的栅极可能会看到电压接近其阈值、因此会导通并损坏、这是由于 LM5110未初始启用、并且不会像启用时那样将栅极拉低。 根据您在下面的评论、可能会出现这种情况、即 LM5110 在关断时不会对容性负载放电。 请发表评论。

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    雷蒙德

    当 SHDN 激活时、LM110应拉低、以便 OUT 引脚不活动。UCC27524系列也是我们最新优化程度最高的驱动器之一。  

     关于寄生电容效应、您可以实现的权变措施包括一个栅源极电阻器、只要驱动器未激活、就会将栅极拉低。 您还可以在栅极实现单独的导通/关断路径、以便为远离栅极的寄生电流提供低阻抗路径、从而防止意外导通。

    此致、

    -Mamadou  

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    是的、确实感谢 LM5110 SHDN 线路由软件(Tiva 微控制器)控制、因此更改顺序不是问题。 我实际上昨天对代码进行了更改、以实现这一效果。 我只是在寻找一些 SR 故障的潜在根本原因。 我无法重现故障、但在启动转换器之前将 LM5110从待机状态中唤醒可能不会导致任何问题、也可能会消除此问题。 感谢你的帮助。