[参考译文] CSD17313Q2：MOSFET 变热

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器件型号：CSD17313Q2
主题中讨论的其他器件：BQ24170、

您好！

我在器件中使用 CSD17313Q2 MOSFET 来实现基于 BQ24170 IC 设计的电池充电电路。我目前有10个 PCB 、而在10个 PCB 中、在2个 PCB 中、当电流流经 MOSFET 时、MOSFET 会变得非常热。每个电路板的电流大致相同(1.2A)。在8个 PCB 中、MOSFET 附近的 PCB 温度为35-37度。但对于我上面提到的2、温度为47-51度。

因此，我不知道这可能是什么原因。

零件本身是否可能在件之间存在某种差异？

或者可能是零件的装配体？ (从物理角度看，它与其他 PCB 看起来没有什么不同。但是、如果这可能是可疑情况、我可以使用 Xray 让装配团队检查它。)

在我的电流布局设计中、我错过了将拼接过孔靠近 MOSFET 的位置。但我会将其放入我的下一版 PCBA 中。如果 MOSFET 器件本身存在零件间零件间的差异、这是否有帮助？

此外、如果每次为电池充电时 MOSFET 变得如此热、稍后可能会出现任何可靠性问题吗？或者 MOSFET 仍然足以维持？

请提供建议/意见以处理此情形。

谢谢、

Siddharth

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 648580 points

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您好 Siddharth、

感谢您关注 TI FET。 TI FET 的导通电阻通常围绕数据表中指定的典型值紧密分布。此外、TI 保证并测试所有 FET 的电阻均小于数据表中指定的最大值。在1.2A 且 TJ = 50C 的应用中、每个 FET 的功耗仅约为50mW、对于2x2mm SON 封装而言功耗不大。它可以在多层 PCB 上以良好的布局耗散超过2W 的功率。在任何情况下、温度上升的12C 至15C 差异似乎很高、这表明假设 RthetaJA = 50C/W、每个 FET 的额外功率损耗约为250mW 我认为零件间差异无法解释这种差异。您能否通过测量检测电阻器上的压降、输入电压、电池充电电流和电池电压来验证运行条件：VGS 驱动电压、MOSFET 电流？如何测量 FET 温度？有什么好处？如果您以一定的裕度(15C - 25C)将结温保持在低于 TJmax 的水平、可靠性不应成为问题。请告诉我您的发现。

谢谢、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 648580 points

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您好、John、

感谢您的宝贵意见。我再次检查了电路板、在 MOSFET 加热的2个电路板中、源极和漏极之间存在短路。在这2块电路板上、阻抗分别为40和60欧姆、理想情况下、阻抗应为499K、因为我在源极和漏极之间具有该值的电阻器。其他电路板、我可以看到499K。因此、我认为 MOSFET 焊盘在组装过程中内部短路、或者源极和漏极上的电容器/电阻器出现故障。我已将其发送给我的装配团队进行检查。他们将检查并更换该部件、组装新部件后、将再次检查阻抗、仅检查源极和漏极之间的交叉。

再次感谢。

此致、

Siddharth

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 648580 points

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您好 Siddharth、

感谢您的更新、如果有进一步的帮助、请告诉我。

此致、

John

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] CSD17313Q2：MOSFET 变热