在我们的设计中、它是 Hbridge GaN EPC8010 (Ciss=43pF)栅极驱动器 LMG1210。 从 gatedriver 到 EPC8010的布线超短、如所附图片所示、两者之间没有栅极电阻器。 有用于探测的孔/过孔的走线(与 LMG1210EVM 中的封装相同)。 因此、上升/下降时间应在 ns 内、而我们测量 的是6ns、如示波器迹线所示。 您能帮助我诊断发生了什么情况吗？
谢谢你。 我注意到"收购"有很大的区别、哪一个给我带来更多的 Feliy？
非常感谢您的快速响应。 我能够如图所示正确测量。
死区时间设置为2ns、开关频率为25MHz。 在打开和关闭时都有很大的振荡。 当在 Hbridge 上施加直流链路电压时、振荡会导致击穿。 当我检查降级板时、栅极驱动信号非常干净(第二个波形)。 根据演示板的原理图、栅极电阻为0。 将我的板与降级板进行比较、我板上的 GaN 具有小得多的栅极电容(43pf 与700pf)、栅极环路更小。 那么、我想知道演示板没有振荡的神奇之处是什么？ 如何调节电路板？
大家好、在我的案例中、栅极电容很小、栅极电压会产生相当大的振铃、而栅极电阻器中没有空间放置。 将几欧姆电阻与去耦电容器串联是否过于愚蠢？ 由于峰值栅极电流来自去耦电容器、这可以限制峰值充电电流吗？
