[参考译文] LM74700-Q1：如何在电路中选择 N-MOSFET？

尊敬的 Seong：

LM74700-Q1是一款理想的二极管控制器、可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以实现二极管般的行为-反向电流阻断和输入反极性保护。 整个负载电流流经 外部 MOSFET、因此 对 LM74700-Q1可 运行的负载电流没有限制。 尽管 在使用 LM74700-Q1进行高电流设计时需要考虑几个因素。

1. 大电流设计对应更多并联 FET。 更多并联的 FET 将增加控制器检测到的 FET 的总栅极电容。 因此、考虑到 LM74700-Q1栅极的恒定灌电流和拉电流能力、栅极电容越高、 FET 的导通和关断速度就越慢。                                           
2. 随着由 DGATE 驱动的 FET 的总/有效 FET 栅极电荷增加、LM74700-Q1在 高频下校正交流叠加(ACS)信号的能力降低。

   例如、正如您在下面的快照中看到的、LM74810-Q1可以在栅极电荷= 15nC 时校正200kHz ACS 信号、但在栅极电荷= 30nC 时、LM74810-Q1只能校正100kHz 信号。                                       

   有关此主题的更多信息、请参阅 理想二极管控制器、了解交流电压纹波的有源整流

3. 电荷泵电容器 必须增加到所有并联 FET 的10倍 Ciss 之和