TI 在数据表和 E2E 论坛中建议使用几个用于 VDD1线性稳压 器的 FET、BUK9213-30A 和 FDD8778、这两个 FET 现已停产。 我正在寻找采用相同 D-PAK TO-252封装的替代产品、以便我不需要旋转 PCB。 tps65381数据表在第4.5节中提供了一些指导:
POS 参数 测试条件 最小 典型值 最大 单位
Vgs (th)栅极阈值电压、 外部 FET ID = 1mA 0.3. 3. 五
Ciss 栅极电容、 外部 FET VGS = 0V 3 200 pF
Qgate 栅极电荷、 外部 FET VGS = 0V 至10V 70 常闭
GFS 正向跨导、 外部 FET ID = 50mA 0.4. S
似乎有很多具有栅极特性的 FET 符合这些标准、但我在跨导方面遇到了一些困难。 对于此应用、FET 将在线性区域内持续运行、将6V 中间轨降至 MCU 内核所需的1.2V、在我的应用图中大约为200mA。 我觉得大多数 MOSFET 的数据表面向 SMPS 市场、并侧重于脉冲操作和 RDS (on)、我认为这不适用于此应用。 提到跨导的数据表提供了在两位数安培范围内工作时的规格、远高于 TPS65381规定的50mA 条件。 您能否建议对之前在此应用中使用的过时器件进行合适的替换?