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器件型号：LM7480-Q1 你(们)好
我们在使用 LM74800时遇到了一些问题(我们正在使用 上 个月收到的 PLM74800QDRRRQ1样片)
我已插入2个原理图。 第二个是 LM74800原理图连接的"放大"。 第一个是即时的
LM74800附近的隔离电路。
我们已将 LM74800Q 连接到24V 工作台电源、如下所示
负载电容大约为210uF。 负载电流目前很低(大约1A)
Q33和 Q32为 Vishay SQJ402EP。
我们已收到5个原型板、到目前为止、LM74800或 FET 已在其中4个单元上熔断、我们正在确定熔断的器件。
在我们能够更好地了解可能发生的情况之前、我们不会继续为唯一好的设备加电。
四个装置首次成功通电、一个没有成功通电。 几次上电后、电路开始在2个单元上发生故障。 我们修改了其中一个单位、以便这样做
EN 直接从 VIN_FUSE 驱动、但最终失败。
我们的应用是一款"常开理想二极管、具有 H 栅 FET、可提供浪涌、过压等保护 我们相信我们已经连接了
设备正确、但是否有人可以验证我们是否未发生错误。
我们一起绕过了理想二极管电路、并且在该设计中的其余电路没有任何不利的问题。
我无法理解的一点是、如果 D FET 和 H FET 通过 EN 启用、如何将 EN 连接到二极管的阴极(在此共漏极配置中)
确保在上电时启用 D FET。
如果有任何想法、意见、建议等、我们将不胜感激。
此致
FINBARR
