您好、先生、
我们希望使用从未编程过的 NOvolatile 存储器的输出电压。
问题1：
当我们希望使用 nodvolatile 的输出电压时、从未对其进行过编程、
CODE10的寄存器设置仅为200h。 对吗？
还有其他需要设置的东西吗？
问题2：
我们将 CODE10的寄存器设置为200h、
其电压毛刺与数据表不匹配。
请告诉我们原因。
[数据表]
[管理数据]
CH1：输出引脚( OUT9 )空载，开路。
CH2：Vs.
我们的测量数据具有大约300 μ s 的低电压周期。
请确认。
此致、
A. Kimura
尊敬的 Costin：
感谢您一如既往的大力支持。
由于从未 对非易失性存储器进行编程时数据表的设计要求、
在上面的最后一行中、
'在模拟电源电压(Vs)超过大约2V 后、输出开始跟踪 Vs / 2。 图21说明了该顺序。"
因此、我们认为、在模拟电源电压(Vs)超过2V 后、输出开始跟踪 Vs/2。
为什么测量数据的输出电压变为0V 直到 Vs 变为5V？
但测量数据是这样的
当 Vs 为2V 时、输出电压变为 0V。
当 Vs 为5V 时、输出电压变为 2/Vs。
(直到 Vs 变为 5V 的300uec 周期为0V。)
我们认为、当 Vs 为2V 时、输出电压变为 Vs/2。
> Vs 应高于内部上电复位(~5V) 以完全打开输出。
在这种情况下、如果对非易失性存储器进行了预编程、对吗？
上述数据表具有以下说明。
请注意、当模拟电源电压(VS)超过大约5V 时、
器件会自动读取非易失性存储器、获取预编程值以确保
当模拟电源电压斜升至其最终值时的正确输出值。 存储器中
采集操作、输出在 Vs/2处跟踪大约1ms。
此致
A. Kimura
尊敬的 Costin：
感谢您一如既往的大力支持。
很抱歉、我们再次有问题。
我们希望使用从未编程过的 NOvolatile 存储器的输出电压。
Q1)
当我们希望使用 nodvolatile 的输出电压时、从未对其进行过编程、因此无需串行通信。
如果我们将输出数据从 默认的 CODE10值更改为默认的 CODE10值、则我们再次将寄存器设置的 CODE10设置为200hex。
对吗？
Q2)
我们再次将寄存器设置的 CODE10设置为200hex、并确认 BUF16821-Q1的输出电压。
我们的测量数据如下所示。
<2msec / div>
<200usec / div>
当 Vs 变为大约2.5V 时，输出变为0V。
当 Vs 变为大约5.0V 时、输出迅速变为2/Vs。
我们确认了数据表。
由于从未 对非易失性存储器进行编程时数据表的设计要求、
在上面的最后一行中、
'在模拟电源电压(Vs)超过大约2V 后、输出开始跟踪 Vs / 2。 图21说明了该顺序。"
因此、我们认为、在模拟电源电压(Vs)超过2V 后、输出开始跟踪 Vs/2。
但我们的管理数据是不同的。
在 Vs 超过大约2V 后、输出变为0V。
而 Vs 超过大约5V、则输出变为 Vs/2。
数据表说明和测量数据不同。
请告诉我们原因。
我们希望在模拟电源电压(Vs)超过2V 后、输出在 Vs/2处开始跟踪。
我们如何做到这一点？
问题3)
您说 过、Vs 应高于内部上电复位(~5V) 以完全打开输出。
在这种情况下、如果对非易失性存储器进行了预编程、对吗？
上述数据表具有以下说明。
请注意、当模拟电源电压(VS)超过大约5V 时、
器件会自动读取非易失性存储器、获取预编程值以确保
当模拟电源电压斜升至其最终值时的正确输出值。 存储器中
采集操作、输出在 Vs/2处跟踪大约1ms。
此致
A. Kimura
您好 Constin、
感谢您一如既往的大力支持。
关于问题1、我们希望输出电压看起来像下面的红色虚线。
可以这样做吗？
此致
A. Kimura
