[参考译文] BQ34Z100-G1：电压分辨率

您好、Matt、

在执行学习周期之前、您是否进行过电压校准？

Andy

你(们)好、Andy

是的。 CC 偏移、电路板偏移和电压校准完成。 Voltage() 报告正确，但步长为6mA。 这篇文章有相同的问题、但它没有记录如何解决、甚至是芯片的实际问题或标准行为。 ？？？  https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/506256 

将电池放电至电池端接电压1700mV (10.2V 电池组)并静置后、DOD0将在休息2小时内进入、但在充满电后、绝不会进入休眠状态。

在将闪存更新确定电芯电压更 改为较低值后，这解决了在 IT_ENABLE()之后无法写入数据闪存的问题。  但它未解决充电后不使用 DOD0的问题。

我尝试了另一个周期。 我对 srec 文件进行了编程、校准电压、IT_ENABLE()、RESET()、已放电至平、 休息2小时、取 DOD0、VOK 清零、并设置 OCV_TUSed。 我被充到锥形电流、FC 设定、休息、等待48小时后 DOD0和 QmaxDOD0最终被采用、但记忆状态()仍然为4。 完全充电容量()保持在7000，这是我为 Qmax Cell 0输入的值。  从平面到完全耗时6000mAH、我想知道将 Qmax Cell 0更改为6000是否有帮助？  

尊敬的 Andy：  

我将电池放电平。 休息5小时。 对芯片进行了重新编程。 校准偏移和电压。 IT_ENABLE()、Reset()，将电池充电至 FC。 在我完成日志记录并向您发送文件之前、您希望我休息多久？ 在之前的尝试中、我必须等待48小时才能设置 OCVTAKEN。

我们能否专注于解决 Voltage()解决问题？ Chem ID 选择指南 https://www.ti.com/lit/an/slva725a/slva725a.pdf 指出、我需要1mA 的分辨率才能使工具正常工作、但 bqStudio 以6mA 的步长报告和记录。

您是否在学习周期中使用 bq34z100-G1 EVM？  

您能否与我共享您的 gg 文件？ 我明天会找到一个 EVM、并检查我是否可以看到电压分辨率问题。

你(们)好、Andy

是的、我将 bq34z100EVM 与 bq34Z100-G1 0100-0-16、bqStudio 1.3.86和 EV2400 0.28配合使用。

我已附加上一个充电周期的日志等。

蓄电池放电平、休息5小时、重新编程 srec、校准偏移和电压、IT_ENABLE()、RESET()、充电至 FC (捆扎电流)、在 OCVTAKEN 之前休息48小时、记忆状态保持为4。

此致 Matt。

e2e.ti.com/.../bq34z100G1-logs.zip

您好、Matt、

在重新编程电量监测计器件、校准偏移和电压并发送 IT_ENABLE()和 RESET()之后，您是否让电池在充电之前重新充电5小时？

Andy

你(们)好、Andy

在我发送给您的循环中，我在 IT_ENABLE()之前已将电池休息了5小时。 根据所有文档、这是正确的程序。 参考 SLUA597实现成功的学习周期："学习周期从放电的宽松电池开始。 运行 IT_ENABLE 后，电量监测计将测量此电压...等等  此时，RUP_DIS 被清除，VOK 和 QEN 被置位..... 现在将电池充满电...

另请参见图 D2。 更新了 SLUUBW5 bq34z100-G1技术参考的状态学习周期图。 显示在 IT_ENABLE 前5小时放松。

我尝试了以下替代方法：IT_ENABLE()、RESET()，然后将电池放电以终止电压，放松直到设置了 OCVTAKEN 和 VOK，并清除了 RUP_DID。  但这没有什么不同、充电后(FC 置位)、在放松时不会执行 DOD0 (尽管 dv/dt < 4mV/S)、直到48小时超时强制读取、"已学习状态"保持为4。

当电池放电后处于休眠状态时、DOD0和 Qmax DOD0会定期更新、但在充电后从不会处于休眠状态。

我的问题有两个方面。

1：以6mA 为增量读取电压。

2：在 FC 和宽松之后不采用 DOD0。

P.S.

我在周末一直在使用芯片、并观察到以下情况。

电池处于静止状态且接近满电量、例如12.872V。 I Reset()，几分钟内 DOD0和 Qmax DOD0开始按预期定期更新。 如果我放电一小段时间、例如一分钟、然后放松、大约20分钟内电压稳定、DOD0和 Qmax DOD0开始定期更新(同样、预期行为)。

但是、如果我短暂充电、然后放松、DOD0和 Qmax DOD0永远不会开始更新。 我知道这不是 dV/dT 问题、因为如果我充电一小段时间(电压调节在14.4V)、那么断开充电器并立即发出复位()、在半小时后、电压缓慢下降到大约12.872V、 OCVTAKEN 被置位并且 DOD0和 QmaxDOD0开始更新。  

如果我复位()，请放松直到 OCVTAKEN 置位，然后短暂充电，休息几个小时，DOD0永远不会更新。 如果我短暂放电、然后放松几个小时、DOD0仍然不会被占用。 因此、该故障与进入或退出充电状态有关。 电池充电后、DOD0再也不会被取回(除非我等待48小时以获得强制读数)。

数据闪存中的哪个参数可能会导致这种情况？ 我无法想象、并且开始认为这是一个错误。

Andy、您能不能拿一个12V 铅酸电池(我使用的是7AH AGM)、用我的 srec 文件对您的 EVM 进行编程、看看是否发生了上述行为？

此外，为什么我的 Voltage()以6mA 的步长跳跃？

请提供帮助、或询问 TI 有此 IC 相关经验的人员。 我一直在等很长时间的支持。 这不仅仅是金钱。

此致

Matt。

Matt、您好！

您的电池单元有多少个堆栈？

您能否使用万用表检查电压是否回弹？

遗憾的是、由于堆栈特性的顶部、bq34z100-G1的电压测量精度不是最佳的。

12V 铅酸。 它有6节串联电池。 电压稳定、即不跳转。

此致

Matt

你(们)好、Andy

我没有从您那里获得任何有用的支持。  您能不能将我的问题转发给一些有经验和耐心的人。

我对这个论坛缺乏任何可信的支持感到非常沮丧。 除了失望之外，我也很惊讶。  当我需要直流转换器设计支持时、我可以从编写应用手册的人员那里获得即时和真实的支持。 当我询问运算放大器时、情况也是如此。  但我对该芯片的体验在频谱的另一端。 使用芯片是一个复杂的问题，纸张工作毫无希望，支持是一个笑话。 仅仅回答一个带有荒谬问题的帖子、希望投诉将会消失、并不表示支持。

我决心获得所需的支持、以便能够将此芯片集成到我的设计中、即使它意味着要飞往美国并在 TI 家门口启动。

那么、您能否吸引其他有能力且愿意提供帮助的人的注意。

此致、一位非常沮丧的客户、

Matt。