[参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5176：升压模式下的 LM5176型号

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Other Parts Discussed in Thread: LM5176, LM5118, TINA-TI

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器件型号：LM5176
主题中讨论的其他器件： LM5118、 TINA-TI

工具/软件：WEBENCH设计工具

使用 Web Bench Designer 开发使用 LM5176器件的降压/升压转换器

8 < Vin < 36V

Vout = 12V

Iout = 5安培

已运行 VIN = 22V 和8V 时的瞬态仿真。输出电压以相对较低的噪声达到12V。

输出电容器是 WebBench 的默认值： 3个22 μ F 陶瓷电容器和2个180 μ F 电容器

报告文件中的 BOM 指示了以下组件

22 μ F 器件- TDK PN C2012X5R1V226M125AC

180 μ F 器件- Samsung PN CL10C161JB8NNNC

当我用 TDK 数据表中的简单 R-L-C 模型替换22uF 部件(R=20 m Ω、L=.480nH、C=22uF)时、8Vin 仿真(升压)指示输出端存在1V 噪声。

22Vin 降压结果仍然是低噪声。

注意到22uF 缺省模式6 (宏) 更加复杂、并且似乎没有将电感与22uF 电容直接串联。

问题：对于升压仿真、我认为哪个模型？

有什么想法、为什么模型会有差异？

Coutx 默认值是如何开发的？

谢谢、

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2560390 points

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您好、Francis、

请告诉我们您所指的宏模型是什么？请告诉我们该模型的来源。

谢谢、此致、
Praveen

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2560390 points

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Praveen、

由于我使用了这个原始模型、我使用了一个来自 TDK 的更复杂的电容器 SPICE 模型、结果相同。

使用原始 Tina 原理图和 TDK SPICE 模型修改的原理图重新运行仿真。

我不熟悉 TI 论坛、想向您发送这些文件、但不确定如何执行此操作。

TI WebBench 提供的22uF 模型

(三
*由 WB Importer 创建*
(三
.SUBCKT LM5118_BUCKBOOST_BLOCK_COUTx3_WB_CAP_Ceramic 2 4.
R1 2 3 0.00205
C1 3 4 1.4E-5 IC=0.0
R3 5 4 5
R2 2 4 7.142857142857143E7
R4 3 26 455555.555555555556
R6 3 7 455.55555555556
C5 7 1 4.2E-7 IC=0.0
R7 3 10 45.555555555555564
C6 10 1 4.2E-7 IC=0.0
R8 3 13 4.555555555555556
C7 13 1 4.2E-7 IC=0.0
C2 26 1 4.2E-7 IC=0.0
R9 3 28 45555.55555555556
C3 28 1 4.2E-7 IC=0.0
R10 3 29 4555.555555555557
C4 29 1 4.2E-7 IC = 0.0
L8 1 5 15 p
R24 1 5 0.006150000000000001
L12 5 4 1n
.end

TDK 网站中的 TDK 模型纳入 WebBench 设计中

.SUBCKT LM5118_BUCKBOOST_BLOCK_COUTx3_WB_CAP_Ceramic 2 4.
C1 2 11 1.97558419E-05
C2 2 12 5.46117538E-07
C3 2 13 5.46117538E-07
C4 2 14 5.46117538E-07
C5 2 15 5.46117538E-07
C6 2 16 5.46117538E-07
C7 2 17 5.46117538E-07
L1 4 21 4.80000000E-10
R1 11 21 2.24990000E-03
R2 11 12 2.64269036E+00
R3 11 13 1.75788822E+01
R4 11 14 1.16773848E+02
R5 11 15 7.74709587E+02
R6 11 16 5.13332487E+03
R7 11 17 3.39743027E+04
R8 2 11 2.20000000E+07
.end

谢谢、

弗兰克

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2560390 points

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您好、Frank、

由于 ESL 值、观察到 Vout 结果的这种差异。我们将对此进行研究。我们会随时为您提供最新信息。

谢谢、此致、

Praveen

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2560390 points

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您好、Frank、

我们为无源组件(电容器、电感器)和开关(MOSFET、二极管)使用基于通用模板的 SPICE 模型。虽然该模型包含直流电容偏置降额、FET Rdson 等关键低频特性、但在 WEBENCH 模型中 ESL 值等高频行为不是很准确。

供应商模型(上述情况下为 TDK)可能更准确。请注意、供应商模型是针对直流偏置= 0提供的、当您使用供应商模型时、您需要更新电容值以与降额电容器值匹配。

要捕获高频效应、例如输出和输入节点上的准确噪声或开关节点上的振铃行为、我们建议您下载供应商的 SPICE 模型并在 OrCAD/TINA-TI 等离线工具上执行仿真。您还应在工作台上进行验证、因为高频效果通常很难建模、而且可能还取决于布局或其他因素。

此致、

Srikanth Pam

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