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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/901221/iso5852s-q1-boot-strap-power-supply
您好！
是否可以为 ISO5852S-Q1使用自举电源？ 这样我就只需要三个电源即可运行逆变器？
有没有与之相同的具体缺点？？
此致
曼诺伊
Manoj、
感谢您的提问。
实际上、对于逆变器设计、您甚至可以通过单个隔离式电源提供低侧驱动器、并在高侧使用自举。
与变压器解决方案相比、自举电源的优势是降低了成本和复杂性。
主要缺点是它不能支持 MOSFET 在100%的时间内保持导通、因为自举电容器在每个关断周期内都会补充。 如果关断周期变得越来越小、自举电容器电荷将无法完全补充。 在这种情况下、应使用单独的高侧电源。
如果您希望使用齐纳二极管在高侧具有负偏置、则拓扑不同于为高侧使用单独电源的拓扑、并且具有限制。
此外、还必须注意正确选择自举电容器和限流电阻器。 以下报告是有关自举电路设计的出色参考。
高侧的备选隔离式电源包括推挽式、隔离型反激式等 使用磁解决方案的优势在于、除了允许栅极驱动器控制的高占空比外、还可以通过变压器生成多个电源轨、以便直接生成负偏置电源。
我们还提供了使用隔离型反激式转换器和 SN650x 推挽式转换器来生成隔离式(高侧)电源的参考设计。 与上述隔离型反激式相比、此选项的尺寸更小。
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最好
Dimitri
James、
感谢详细的解释。
如果我们对隔离式顶部和底部栅极驱动器使用单电源、是否存在任何隔离限制？
曼诺伊雷
从驱动程序本身的角度来看、不应有任何问题。 只要所用的电源策略能够为所有栅极驱动器供电、它本身也应该被设计成满足所需的隔离要求、例如变压器选择或相似的隔离。
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