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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/881334/tps22810-q1-calculation-of-qod-fall-time
您好、TI 团队
您好、Hayashi-San、
我相信我知道这里的混乱是什么：) 放电时间的计算公式如下：
VCAP = VIN x e^(-t/RQOD x CL)
除 RQOD 值外、您的所有数字看起来都正确。 在5V 时、典型值为250Ω μ F、这将使输出电容的放电速度比您使用的79mΩ μ F 慢得多。 79mΩ Ω 值用于主导通 FET 上的电阻、而不是 QOD 引脚上的 QOD 下拉电阻。
使用250Ω、公式变为：
0.5V = 4.5V * e^(-t/(250Ω* 100uF))
求解 t 等于55000us、与数据表应用部分中显示的值相距约5000us。 进一步研究、我看到电气特性页面中的 RQOD 部分和图6 (图)中的 RQOD 值不完全匹配。
如果我使用图6 (~228Ω)中的 RQOD 值、那么我会得到50000us 的放电、如应用部分所示、这就是表的生成方式。 我将研究此差异、但对于您的计算、我将使用上面的公式和图6中显示的 RQOD 值。
谢谢、
Alek Kaknevicius
你好、Alek-San
感谢您的快速响应。
我把它误认为是内部开关的导通电阻。
您的解释非常详尽。
我知道。
此致、
高志林
