[参考译文] CSD25501F3：CSD25501F3

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/874421/csd25501f3-csd25501f3

器件型号：CSD25501F3

大家好、

我想按所连接的方式使用此 PMOS：

e2e.ti.com/.../CSD25501F3.docx

二极管中可以流动的最大电流是多少？它可以处理哪些功率耗散？数据表中未提及(需要支持1.5A 持续30秒)
您是否具有此器件的 Spice 模型？

谢谢、

Shlomi

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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您好、Shlomi、

感谢您向客户推广 TI FET。理论上、体二极管可以传导与 FET 通道相同的最大电流。但是、二极管存在恒定的正向压降、这会限制器件可耗散的最大功率。数据表中指定的最大持续电流和功率耗散是计算值、详情请参阅以下博客。我们可以对体二极管使用相同的方法。对于最小焊盘、典型热阻抗为230C/W、最大功耗计算如下：PDmax =(TJmax - Tamb)/RthetaJA =(150C - 25C)/230C/W = 0.54W。需要针对较高的环境温度以及可能改变(升高或降低) RthetaJA 的不同焊盘几何形状和电路板层叠进行调整。在实际设计中、最好使用0.5W 的最大功率耗散。请参阅以下技术文章。 1.5A 和 Tcase = 125C 时的体二极管正向压降约为0.7V、由此得出的功率耗散= 1.5A x 0.7V = 1.05W。我认为在30s 的封装中很难耗散这么大的功率(可以认为是直流或连续功率)。