[参考译文] BQ35100：BQ35100写入闪存失败(&quot)；Battery Management Studio&quot；

我在 EVM 上验证了它的工作原理。 在您的图像中、您启用了"Daskboard"(绿色条)、它将在后台进行通信。 为了更新 DF、写入3E 和60需要按顺序进行。 请尝试禁用仪表板、然后重试。   

尊敬的 Eric：

很抱歉、我无法理解您操作步骤的含义。

数据表中的步骤如下所示：

写入闪存地址需要在 0x3E 寄存器处进行修改。

在0x40寄存器写入替换数据。

在0x60寄存器写入校验和。

在0x61寄存器写入数据长度。

 在您回复上述内容时、我只会找到0x3E 和0x60的操作。

如果 您的操作步骤与数据表不同、您能给我一个整步吗？

否则、很抱歉、我找不到您通过上图修改了任何成功。

您能给我一个完整的操作吗、我知道您将一些数据更改为其他数据。

非常感谢。

我无法通过上图找到任何修改后的成功。