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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/890941/tps40200-with-the-p-fet-for-small-parasitic-capacitance
您好、E2E、
当具有较小的 P-FET 寄生电容时、VGDRV 在 FET 导通时从 VDD 变为10V 以下。
问题； 什么是原因？ 是否有任何对策？ 输入电压24V - 36V、输出电压12V、输出电流1A、推荐使用什么 P-FET？
此致、 ACGUY
你(们)好
您可以参考 TPS40200 EVM 的 MOSFET、并在 P-FET GS 之间放置一个齐纳二极管来保护驱动器。 它应该是8V、确保高侧导通时 GS 没有发生任何 osiation
谢谢
您好！
感谢您提出对策建议。
我认为 TPS40200在栅极驱动器电路中的 GDRV 和 VDD 之间具有8V zenner、因此 zenner max Iz 不是那么大的电流传导。 正确吗？
电压钳位感应器的最大电流是多少？
您可以跟随 EVM 板中使用的齐纳二极管、该齐纳二极管的电流约为200mA。
李丹尼尔
GDRV 的反复充电电压钳位电路的最大电流是多少？
此致、
ACGUY
您好、ACGUY：
您是指 GDRV 最大电流能力吗？ 如果是、我没有该数据。
