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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/889592/lm5051-gan-compatibility
您好！
使用 GaN MOSFET 时是否存在任何已知问题？ 我正在考虑在-48V 电信应用中将 LM5051与 EPC2045 (100V)搭配使用。 EPC2045比等效的硅开关 MOSFET 要小得多。
您好、Scott、
LM5051的栅极驱动电压高于 GaN FET 额定值(6V)。
需要在栅源极之间添加齐纳钳位、以防止损坏。
除此之外、我没有看到将 GaN FET 与 LM5051搭配使用时会出现任何主要问题。
此致、
Kari。
选择 GaN MOSFET 的原因是什么？ 大小是您的应用程序的唯一优势还是您看到了任何其他优势？
此致、Rakesh
您好、Rakesh、
是的、尺寸是主要原因、特别是厚度。 类似的硅器件(电压、导通电阻)位于高度为4.6mm 的 D2PAK 中。 EPC2045的高度为0.9mm。 PCB 底部的高度限制为2mm、因此我们可以将 OR'ing 二极管放置在底部而不是顶部。
Scott
感谢您提供详细信息。
