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[参考译文] LM3478:MOSFET 选择指南

Guru**** 2396575 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3478

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/886517/lm3478-mosfet-selection-guide

器件型号:LM3478

尊敬的团队:  

我的客户正在尝试将 LM3478升压控制器用于他们的应用。  

-      输入:24V 排印错误,原始应用输入规格:10 ~29V

      输出:215V/低于50mA

如何选择外部功率 FET? 请告诉我外部功率 FET (VDS、ID、Q、RDS 等)的选择指南。   

谢谢你。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Dino:

    有关功率 MOSFET 的选择、请参阅 LM3478数据表的第8.2.1.2.7节。  

    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm3478.pdf

    作为一般准则、您希望 FET 和二极管能够处理最大输出电压、在最小输入电压和一半电流纹波的情况下、峰值电流等于平均输入电流之和。  

    对于 RDS_ON 的选择,这是一个导电损耗问题,它与您的(IRMS_FET)^2*RDS_ON*D 成比例,其中 D 是您的占空比。 在较低频率下、与开关损耗相比、导电损耗占 MOSFET 总损耗的很大一部分。 在较高的开关频率下、情况正好相反。 在高开关频率下、您应该努力实现低栅极驱动损耗、因此 Q 应该更低。  

    本文是一个有用的资源: http://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf (我特别要查看第23+24页以了解更多信息)

    谢谢、

    Richard