This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/886517/lm3478-mosfet-selection-guide
尊敬的团队：
我的客户正在尝试将 LM3478升压控制器用于他们的应用。
- 输入：24V 排印错误，原始应用输入规格：10 ~29V
输出：215V/低于50mA
如何选择外部功率 FET？ 请告诉我外部功率 FET (VDS、ID、Q、RDS 等)的选择指南。
谢谢你。
尊敬的 Dino：
有关功率 MOSFET 的选择、请参阅 LM3478数据表的第8.2.1.2.7节。
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm3478.pdf
作为一般准则、您希望 FET 和二极管能够处理最大输出电压、在最小输入电压和一半电流纹波的情况下、峰值电流等于平均输入电流之和。
对于 RDS_ON 的选择，这是一个导电损耗问题，它与您的(IRMS_FET)^2*RDS_ON*D 成比例，其中 D 是您的占空比。 在较低频率下、与开关损耗相比、导电损耗占 MOSFET 总损耗的很大一部分。 在较高的开关频率下、情况正好相反。 在高开关频率下、您应该努力实现低栅极驱动损耗、因此 Q 应该更低。
本文是一个有用的资源： http://www.ti.com/lit/an/slyt664/slyt664.pdf (我特别要查看第23+24页以了解更多信息)
谢谢、
Richard
